3+ 3+ 3+

1.用于白光LED的Tb /Sm /Ce 三掺杂α-NaYF4单晶体，其特征在于该单晶体的化3+ 3+ 3+

学式为α-NaY(l-x-y-z)TbxSmyCezF4，其中x、y与z分别为Tb 、Sm 与Ce 置换Y的摩尔比，其中0.0624＜x+y+z＜0.0896。

3+ 3+ 3+

2.如权利要求1所述的用于白光LED的Tb /Sm /Ce 三掺杂α-NaYF4单晶体，其特征在于所述的x、y与z的比例为x∶y∶z＝1∶1.3～1.8∶0.2～0.78。

3+ 3+ 3+

3.权利要求1所述的用于白光LED的Tb /Sm /Ce 三掺杂α-NaYF4单晶体的制备方法，其特征在于步骤如下：1)、将NaF、KF、YF3、TbF3、SmF3、CeF3按一定摩尔比混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料，其中原料摩尔比NaF∶KF∶(YF3+TbF3+SmF3+CeF3)＝1～2.4∶1∶2.24～3.4，且TbF3∶SmF3∶CeF3＝1∶1.652～2.287∶0.915～3.570，YF3∶TbF3＝1∶0.027，YF3∶SmF3＝1∶0.045～0.062，YF3∶CeF3＝1∶0.025～0.097；

2)、将上述混合料置于铂金坩锅中，铂金坩锅安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后用N2气排除铂金管道中的空气，在温度780～800℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N2气清洗管道中残留的HF气体，所有经管道尾端的残余HF气体由NaOH溶液回收，最终得到多晶粉料；

3)、以KF作为助熔剂，采用密封坩锅下降法进行晶体生长，将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封Pt坩埚；

4)、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为950～980℃，接种温度为820～860℃，固液界面的温度梯度为60～90℃/cm，坩锅下降速度为0.2～2.0mm/h，在晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得3+ 3+ 3+

到Tb /Sm /Ce 三掺杂α-NaYF4单晶体。

3+ 3+ 3+

4.如权利要求3所述的用于白光LED的Tb /Sm /Ce 三掺杂α-NaYF4单晶体的制备方法，其特征在于所述的步骤1)中NaF、KF、YF3、TbF3、SmF3与CeF3的纯度均大于99.99％。