1. 一种低能离子注入介导Ri 质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于，包括以下步骤：1) 将黄芩外植体转接到含50 ～200μg/mL 乙酰丁香酮的MS 固体培养基中，转接后于25 ～28℃黑暗培养2 ～3 天，培养后用无菌水将黄芩外植体表面的培养基冲洗干净，冲洗干净后将黄芩外植体表面的无菌水用无菌风吹干，吹干后在黄芩外植体上划痕；2) 经过步骤1) 后，将黄芩外植体放置于离子注入机的真空靶室内，然后对黄芩外植体进行低能离子注入；3) 将经过低能离子注入的黄芩外植体浸泡入含Ri 质粒的TE 缓冲溶液中并进行避光温育，温育的时间为2 ～4h，温育的温度为25 ～28℃，然后将黄芩外植体接种于含0.1 ～0.5mg/L 吲哚-3- 丁酸的MS 固体培养基中，接种后于25 ～28℃黑暗培养21 ～25 天诱导出毛状根。2.根据权利要求1所述一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于：所述黄芩外植体为切成0.5 ～1.0cm 的黄芩带节茎段的碎段。3.根据权利要求1所述一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于：所述含Ri 质粒的TE 缓冲溶液中Ri 质粒的浓度为≥200μg/mL。4. 根据权利要求1 所述一种低能离子注入介导Ri 质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于：所述离子注入的条件为：以N+ 作为注入离子，注入剂量为2.5×1016 ～3.5×1016ions/cm2，注入能量为25 ～30KeV，脉冲时间为5 ～10s，间隔时间为5 ～10s，真空度为1.5 ～2.0×10-4Pa。