1.一种引上法生长YVO4晶体的生长方法;其特征在于包括如下步骤:a、保证熔融坩埚内部不受污染,将块状的YVO4原料放入熔融坩埚,籽晶固定于籽晶夹杆上;控制引上电机使籽晶处在多重保温罩的内层保温罩腔体内;
b、关闭炉体炉门,抽真空,使炉体内真空度达到1.0×10-3Pa,然后向炉体内充入纯氮气,使炉体内气压达到0.1MPa;
c、利用高频电源给射频线圈通电,熔融坩埚在射频线圈内部感应发热,加热温度达到
1000℃后,块状YVO4原料受热收缩,同时对射频线圈和炉膛通水,进行预热;
d、将加热功率增加至15KW至进行快速升温,至YVO4原料在熔融坩埚中熔化为熔体;
e、以0.2-0.5KW/min降低加热功率,使熔体温度降低至高于熔点40-50℃,使熔体流线变细;
f、将籽晶以10r/m的速率旋转,同时将籽晶下降至熔体5-10mm深度,然后提起10mm,重复以上动作,直至籽晶融化且端部直径为1mm;
g、进一步降低熔体温度,待熔体温度稳定至高于熔点温度5-10℃,将籽晶下降进入熔体内2mm;
h、降低生长功率使熔体温度降温至熔点温度,使光圈将籽晶围住;
i、以-600μV/h的速率降低熔体温度,并以2mm/h的速率向上提拉籽晶夹杆,使熔体在籽晶周围缓慢结晶;
j、当晶体生长到直径为5mm时,用-60μV/h的速率降温,随着晶体直径增大,降温速率逐渐增大;
k、当晶体尺寸生长到竖直长度为35mm时,停止降温,使光圈将晶体围住,最终使晶体直径在40mm;
l、当晶体被光圈围住,且光圈宽度1mm时,采用-180μV/h速率降温,使光圈宽度保持
1mm;
m、随着提拉和降温的进行,晶体长度逐渐加长,直到长度在40mm,这时将晶体缓缓提起,直至晶体脱离熔体;
n、晶体脱离熔体15分钟后,此时,炉体内冲入纯氧,使炉体内气压达到0.1MPa,并以-
150μV/h的速率降温,保持晶体旋转;
o、当加热功率达到4-5kw时,以-300μV/h的速率降温,一直到降温结束;
p、降温结束后,经过6-8小时的自然冷却,炉内温度达到室温,这时将晶体从籽晶夹杆上卸下,从保温屏中取出;
q、最后将晶体置入850-950℃的刚玉砂的退火炉中进行二次退火,消除应力。