1.利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜；

（2）利用飞秒激光作为光源，通过计算机精确控制样品台的位置，对磁性薄膜进行无掩膜辐照，得磁敏感微结构单元。

2.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：衬底为单晶硅或玻璃；缓冲层和保护层根据磁性薄膜的结构和种类确定是否需要；磁性层由单层或多层膜组成，其中，单层膜为磁记录膜或磁致伸缩膜；多层膜为铁磁/反铁磁双层膜或自旋阀结构多层膜或自旋隧道结结构多层膜。

3.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：在第二步中样品台的移动速度为60～500µm/min。

4.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：飞秒激光的参数为：单脉冲能量5～50µJ；脉冲宽度90～150fs；波长为800nm；

脉冲频率10～100Hz；在辐照时根据需要沿平行或垂直于磁性薄膜膜面方向施加0~500Oe的诱导磁场。

5.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于：磁敏感微结构单元的形状为三角形、矩形、正六边形、圆形、椭圆形或其它给定图案。

6.根据权利要求1所述的利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于所述的磁性薄膜的制作方法是：利用高真空磁控溅射设备在经过清洗的单晶硅或玻-6璃衬底上沉积缓冲层、磁性层或保护层，其中，磁性层的生长条件为：背底真空5×10 Pa；

溅射气压0.3～0.5Pa；溅射功率10～120W；氩气流量20sccm；基片温度室温～300℃。