1.一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，其特征在于：利用化学方法在金属衬底或导电玻璃上首先制备氧化锌纳米线，再采用PECVD方法在氧化锌纳米线上制备氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成nip径向结构，随后利用ALD技术制备氧化铝钝化层，利用ALD技术制备氧化锌透明导电薄膜，完成纳米线太阳电池的制备；所述的掺铝氧化锌纳米线/纳米硅nip/Al2O3/掺铝氧化锌透明上电极径向结构纳米线太阳电池的制备方法具体为：（1）在金属或透明导电玻璃上化学方法形成掺铝氧化锌纳米线，所述纳米线的直径-2 -1

30~70nm，长度1~5μm，氧化锌纳米线的电阻率为1×10 Ωcm~1×10 Ωcm；

（2）利用PECVD方法和磷的掺杂制备n型纳米硅层：调整硅烷和氢气的流量比、磷烷的流量、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的结构和性能，n型纳米硅层厚度2~6 nm；

（3）利用PECVD方法分别制备本征纳米硅吸收层：改变硅烷和氢气的流量比、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的晶化率、晶粒大小和纳米硅层中氢的含量，本征纳米硅层厚度10~20 nm；

（4）利用PECVD方法和硼的掺杂制备p型纳米硅层：调整硅烷和氢气流量比、硼烷的流量、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的结构和性能，p型纳米硅层厚度2~6 nm，光学带隙1.7~1.9 eV；

（5）利用ALD技术制备氧化铝钝化层；采用Al(CH3)3（TMA）源制备氧化铝钝化层，厚度

1~5 nm；

（6）利用ALD技术制备透明上电极：采用Zn(CH2CH3)2 (DEZ)源和三甲基铝（TMA）源制备掺铝氧化锌层，厚度5~15 nm。

2.一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，其特征在于：利用化学方法在金属衬底或导电玻璃上首先制备氧化锌纳米线，再采用PECVD方法在氧化锌纳米线上制备氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成nipnip径向结构，随后利用ALD技术制备氧化铝钝化层，利用ALD技术制备氧化锌透明导电薄膜，完成纳米线太阳电池的制备；所述的掺铝氧化锌纳米线/纳米硅nip/纳米硅nip/Al2O3/掺铝氧化锌透明上电极径向结构纳米线太阳电池的制备方法具体为：（1）在金属或透明导电玻璃上化学方法形成掺铝氧化锌纳米线，所述纳米线的直径-2 -1

30~70nm，长度1~5μm，氧化锌纳米线的电阻率为1×10 Ωcm~1×10 Ωcm；

（2）利用PECVD方法和磷的掺杂制备n型纳米硅层：调整硅烷和氢气的流量比、磷烷的流量、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的结构和性能，n型纳米硅层厚度2~6 nm；

（3）利用PECVD方法分别制备本征纳米硅吸收层：改变硅烷和氢气的流量比、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的晶化率、晶粒大小和薄膜中氢的含量，本征纳米硅层厚度

10~20 nm；

（4）利用PECVD方法和硼的掺杂制备p型纳米硅层：调整硅烷和氢气流量比、硼烷的流量、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的结构和性能，p型纳米硅层厚度2~6 nm，光学带隙1.7~1.9 eV；

（5）利用PECVD方法和磷的掺杂制备n型纳米硅层：调整硅烷和氢气的流量比、磷烷的流量、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的结构和性能，n型纳米硅层厚度2~6 nm；

（6）利用PECVD方法分别制备本征纳米硅吸收层：改变硅烷和氢气的流量比、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的晶化率、晶粒大小和薄膜中氢的含量，本征纳米硅层厚度

10~20 nm；

（7）利用PECVD方法和硼的掺杂制备p型纳米硅层：调整硅烷和氢气流量比、硼烷的流量、射频功率和沉积温度来控制纳米硅层的结构和性能，p型纳米硅层厚度2~6 nm，光学带隙1.7~1.9 eV；

（8）利用ALD技术制备氧化铝钝化层；采用Al(CH3)3（TMA）源制备氧化铝钝化层，厚度

1~5 nm；

（9）利用ALD技术制备透明上电极：采用Zn(CH2CH3)2 (DEZ)源和三甲基铝（TMA）源制备掺铝氧化锌层，厚度5~15 nm。