1.一种锗薄膜材料的制备方法，其特征在于：

(1)将二氧化锗粉末溶于氨水中，得到锗酸根离子水溶液，加入硼氢化钠，将反应产物经多次离心、洗涤，至上层清液pH值为7，将离心管底部沉淀悬浊液移入平底瓷舟中干燥，得到晶态锗沉积物；

(2)在晶态锗沉积物上方3mm处覆盖一洁净玻璃片，在400～1000℃下真空加热1～

6小时，制得锗薄膜。

2.根据权利要求1所述的锗薄膜材料的制备方法，其特征在于，硼氢化钠和二氧化锗的摩尔比为4：1～6：1，干燥时间为12～48小时，干燥温度为120～180℃。

3.根据权利要求1所述的锗薄膜材料的制备方法，其特征在于，真空加热温度为400～

600℃。

4.一种锗多孔膜材料的制备方法，其特征在于，将二氧化锗粉末溶于氢氧化钠溶液中制得锗酸根离子水溶液，将锗酸根离子水溶液调节至pH值为5后注入洁净的内径为2毫米的石英玻璃管中并封住管口，3天后析出二氧化锗并沉积成膜，然后在氢气气氛中热处理二氧化锗膜1小时得到锗多孔膜材料。

5.根据权利要求4所述的锗多孔膜材料的制备方法，其特征在于，氢气气氛中热处理温度为500～700℃。

6.根据权利要求4或5所述的锗多孔膜材料的制备方法，其特征在于，氧化锗膜在石英玻璃管衬底上形成。