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专利号: 2010102853462
申请人: 安徽工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:无效专利
更新日期:2023-07-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:

1)、使用二次阳极氧化法获得通孔氧化铝模板,或采用成品通孔氧化铝模板;

2)、将所述氧化铝模板置于含有无水氯化钴和硫脲的混合溶液中,使所述混合溶液填充进氧化铝模板孔洞中;采用分步升温法先将反应温度设定为60-80℃,待出现沉淀,并伴有气体生成后,再将温度升高到90-100℃,并在此温度下反应20-60分钟,使所述氧化铝模板孔中置有纳米线或纳米管,然后用水清洗、干燥;

3)、将上述步骤2中的置有纳米线或纳米管的氧化铝模板置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板,制得硫化钴纳米管或纳米线。

2.根据权利要求1所述的基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法,其特征在于所述混合溶液浓度为1.5-2.5M,其中无水氯化钴和硫脲之比为1∶1。

3.根据权利要求1所述的基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法,其特征在于所述通孔氧化铝模板的孔洞大小用磷酸溶液浸泡腐蚀控制,浸泡时间为

20-60分钟。

4.根据权利要求3所述的基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法,其特征在于所述硫化钴纳米管、纳米线的尺寸由氧化铝模板孔洞的尺寸进行控制调节,调节范围:硫化钴纳米管孔洞外径为60-150nm,内径为20-80nm,纳米线直径为

60-150nm。