1.一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的原位阵列电极为硫化钴纳米针与二硫化钼纳米片的复合电极，硫化钴纳米针为核、二硫化钼纳米片为壳，且二硫化钼纳米片垂直于硫化钴纳米针生长的原位复合电极，具体制备方法为：（1）将生长有四氧化三钴阵列的碳纸基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极，第一次硫化反应温度为400 600℃，反应时间为0.5 4 h；

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（2）将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；

（3）再将第（2）步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，第二次硫化，反应温度为400 800℃，反应时间为0.5 4 h，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳~ ~米针原位阵列电极；

所述的Ar+S气氛或N2+S气氛中，Ar、N2为保护气体，气体流量1 10 SCCM；S气体为硫粉蒸~发形成，硫粉的量远过量于钼原子。

2.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的氯化钼溶于挥发非水溶剂，氯化钼的浓度为100 900 mM。

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3.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的挥发非水溶剂，包括：乙醇、N, N-二甲基甲酰胺。

4.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，第一次硫化，其特征在于反应温度为600℃，反应时间为1h。

5.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，第二次硫化，反应温度为600℃，反应时间为0.5h。