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专利号: 2009101548347
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种块状双孔隙碳化钨的制备方法,所述制备方法具体如下:在室温下,将质量比为1∶0.5~2的偏钨酸铵和碳酸铵固相混合后研磨3~10分钟,加去离子水配制成偏钨酸铵与碳酸铵的总质量分数为5~50wt%的前驱体培养液,搅拌1~30分钟后倒入水热反应釜中,密封后在50~180℃恒温保持1~24小时,降温倒去上层清液,40~55℃真空干燥后得到块状前驱体颗粒;所得块状前驱体颗粒在CO/H2气氛中进行碳化处理,所述的碳化处理采用如下步骤:将块状前驱体颗粒置于管式反应炉中,在CO/H2气氛下,按照2~10℃/min程序升温至700~900℃保持2~8小时,降温后取出即得块状双孔隙碳化钨。

2.如权利要求1所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述的偏钨酸铵与碳酸铵的质量比为1∶0.5~1.8。

3.如权利要求1所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述的前驱体培养液中偏钨酸铵与碳酸铵的总质量分数为5~40wt%。

4.如权利要求3所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述的前驱体培养液中偏钨酸铵与碳酸铵的总质量分数为5~25wt%。

5.如权利要求1所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述的恒温保持时间为2~20小时。

6.如权利要求5所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于水热反应釜密封后在60~160℃恒温保持2~15小时。

7.如权利要求1所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述CO/H2气氛中CO和H2的体积比为1∶1.1~2.5。

8.如权利要求7所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述CO/H2气氛中CO和H2的体积比为1∶1.5~2.0。

9.如权利要求1所述的块状双孔隙碳化钨的制备方法,其特征在于所述碳化处理过程中,以3~7℃/min程序升温至750~820℃保持3~6小时。