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专利号: 2025110684640
专利类型:发明专利
专利状态:未下证
专利领域: 暂无
更新日期:2024-06-18
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于改造项目的高效除氟内置结晶器,包括混凝池(30)和沉淀池(10),混凝池内混合液能够排入沉淀池内进行沉淀处理,沉淀池上端侧壁上设有用于排出上层清水的出水口(102),其特征在于:还包括稀释器(60)、搅拌器(40)、晶体回流装置(20)、排晶装置(70)和旋流分离器(50),至少一个稀释器固定安装于混凝池侧壁上,所述稀释器包括上下开口的筒体结构(602)和安装与筒体结构上端的进液管道(601),含氟废水和含钙药剂能够经所述进液管道自上而下的进入稀释器的筒体结构内,并沿稀释器的筒体结构向下流动进入混凝池,搅拌器安装于混凝池内并能对混凝池内液体进行搅拌,晶体回流装置的进口设于沉淀池底部,晶体回流装置的出口设于混凝池开口上方,晶体回流装置能够将沉淀池底部的晶体沉淀回流到混凝池内继续参与结晶,排晶装置能够定期将混凝池底部的晶体沉淀排出到旋流分离器内,旋流分离器能够将大颗粒晶体与水和小颗粒晶体进行旋流分离,大颗粒晶体从旋流分离器下端的出晶口(503)排出,小颗粒晶体随水流从旋流分离器上端的排水口(502)排出并通过排水管道进入混凝池内。

2.根据权利要求1所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:所述稀释器为多个,多个稀释器均匀分布于混凝池内侧壁上,含氟废水和含钙药剂进入不同的稀释器内进行稀释。

3.根据权利要求1所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:所述稀释器上端高度低于沉淀池出水口液面设定高度,稀释器内安装有推进器(603),所述推进器能够将从上端进入稀释器内的液体向下推流。

4.根据权利要求1所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:搅拌器位于混凝池中心位置,搅拌器包括搅拌电机、搅拌轴(401)和搅拌扇叶(402),所述搅拌电机驱动搅拌轴旋转,两层搅拌扇叶上下间隔的固定安装于搅拌主轴上,所述搅拌扇叶为翼型结构,上层的搅拌扇叶与底层的搅拌扇叶上下对称设置,且底层搅拌扇叶的底部距离混凝池的池底高度为混凝池总高度的三分之一。

5.根据权利要求1所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:所述沉淀池内固定安装有位于沉淀池中心位置的中心筒(101),中心筒下端开口,且中心筒下端与沉淀池底面之间存在设定距离,混凝池上端侧壁上设有溢流口(301),所述溢流口高度低于沉淀池出水口高度设定距离,所述混凝池上溢流口通过溢流管道与沉淀池内的中心筒上端连通,混凝池内混合液能够经溢流管道进入沉淀池的中心筒内。

6.根据权利要求5所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:所述中心筒下端形成开口逐渐增大的喇叭口。

7.根据权利要求1所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:晶体回流装置包括回流管道(201)和回流泵,所述沉淀池底部形成尖底结构(202),还设有三通管,三通管一路通过管道与沉淀池尖底结构中心位置连通,三通管第二路连接有沉淀排出管道,三通管第三路与回流管道一端连通,回流管道另一端延伸到混凝池开口上方,三通管的第二路和第三路内分别设有控制管路通断的控制阀,回流泵能够在三通管的第三路内控制阀打开的情况下将沉淀池底部的晶体沉淀沿回流管道打入混凝池。

8.根据权利要求1所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:所述排晶装置包括气提排晶管(701)和进气管,所述气提排晶管一端伸入混凝池的池底,气提排晶管另一端与旋流分离器的进口连通,气提排晶管一端侧壁上设有倾斜延伸的进气嘴,所述进气嘴与进气管连通,进气管内气流经进气嘴进入气提排晶管内并向气提排晶管另一端方向流动使得气提排晶管一端形成负压,气提排晶管一端的负压能够吸附混凝沉池底部沉积的晶体沉淀。

9.根据权利要求8所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:所述混凝池底部固定安装有吸晶环(702),所述吸晶环下侧面与混凝池底部存在设定间隙,吸晶环上均匀间隔的设有若干吸晶口(7021),所述吸晶环与气提排晶管一端连通。

10.根据权利要求8所述的基于改造项目的高效除氟内置结晶器,其特征为:气提排晶管上设有减压阀门,旋流分离器器的进口设有流量调控阀门,旋流分离器上端的出水口和下端的出晶口上还分别安装有调节开关,所述调节开关能够调节旋流分离器上端的出水口和下端的出晶口的流量。