1.一种基于多神经形态行为的神经元电路，包括膜电压电路（1）、慢变量电路（2）和恢复变量电路（4）；所述的膜电压电路（1）用于接收输入信号（3）并积累膜电压；所述的慢变量电路（2）用于根据膜电压积累慢变量，并在慢变量大于预设阈值后使神经元电路进入超极化阶段；恢复变量电路（4）用于根据膜电压延迟输出恢复变量，并通过恢复变量使膜电压复位至静息电位；

其特征在于：所述的膜电压电路包括膜电容器Cm和正反馈电路；所述的正反馈电路包括三个场效应管M1、M2和M3；场效应管M1的栅极连接场效应管M2的栅极、场效应管M1的漏极、场效应管M3的漏极；膜电容器Cm的一端与场效应管M2的漏极、场效应管M3的栅极、输入信号连接；膜电容器Cm的另一端接地；场效应管M1和M2的源极连接电源电压；场效应管M3的源极接地；

所述的慢变量电路包括积分电容器Cu、泄露电阻 R以及两个场效应管M4、M5；场效应管M5的栅极与场效应管M1的栅极连接；场效应管M5的漏极与场效应管M4的栅极、积分电容器Cu的一端、泄露电阻 R的一端连接；场效应管M4的源极、积分电容器Cu的另一端、泄露电阻R的另一端均接地；场效应管M4的漏极与输入信号连接；场效应管M5的源极连接电源电压；

所述的恢复变量电路包括电容器Ck和级联推挽反馈电路；级联推挽反馈电路包括五个场效应管M6、M7、M8、M9和M10；场效应管M6的漏极与场效应管M3、场效应管M7、场效应管M8的栅极连接；场效应管M6的栅极与场效应管M9的漏极、场效应管M10的漏极、电容器Ck的一端连接；电容器Ck的另一端接地；场效应管M7、M8的漏极均与场效应管M9、M10的栅极连接；场效应管M6、M8、M10的源极均接地；场效应管M7、M9的源极均连接电源电压。

2.根据权利要求1所述的一种基于多神经形态行为的神经元电路，其特征在于：该神经元电路的工作过程如下：

膜电压电路在输入电流输入时激活正反馈电路，积累膜电压；恢复变量电路在膜电压增加时，基于膜电压延迟输出恢复变量，并通过恢复变量控制场效应管M6的漏极电流，使膜电压复位至静息电位；慢变量电路通过电流镜在膜电压释放时将动作电位脉冲积累慢变量，直至神经元电路进入超极化阶段，膜电压处于静息电位，通过泄露电阻R释放慢变量至积累初期值，进行下一轮循环。

3.根据权利要求2所述的一种基于多神经形态行为的神经元电路，其特征在于：判断神经元电路进入超极化阶段的条件为：场效应管M4的栅极电压大于场效应管M4的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的一种基于多神经形态行为的神经元电路，其特征在于：所述的场效应管M5与场效应管M1的宽长比相匹配，组成电流镜。

5.根据权利要求4所述的一种基于多神经形态行为的神经元电路，其特征在于：通过调节电流镜比例以及积分电容器Cu和泄露电阻 R的参数控制静息态持续时间和超极化周期。

6.根据权利要求1所述的一种基于多神经形态行为的神经元电路，其特征在于：场效应管M1、M2、M5、M7和M9采用P型金属-氧化物半导体场效应晶体管；场效应管M3、M4、M6、M8和M10采用N型金属-氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求1所述的一种基于多神经形态行为的神经元电路，其特征在于：该神经元电路构成的神经元模型如下：

；

其中，为膜电压电路中的膜电容；为神经元的膜电压；为输入电流；为场效应管M2的漏极电流；为场效应管M6的漏极电流；为场效应管M4的漏极电流；和分别为场效应管M9和场效应管M10的漏极电流；为恢复变量；为慢变量；和分别为恢复变量和慢变量的储能电容；为电流镜比例值；为电阻R的导数。

8.一种类脑计算系统，其特征在于，包括多个如权利要求1-7任一项所述的多神经形态行为的神经元电路；该类脑计算系统通过调节各神经元电路的输入电流和泄露电阻 R实现多种神经形态行为的脉冲序列输出。