1.一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，准备如下制备原料：蒙脱土、N-甲基-2-吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、聚偏氟乙烯-六氟丙烯；

步骤2，二维纳米蒙脱土分散液的制备；

步骤3，聚偏氟乙烯-六氟丙烯的包覆；

步骤4，无机绝缘薄膜的成型；

步骤5，无机绝缘薄膜的干燥；

步骤6，无机绝缘薄膜的热力耦合处理。

2.根据权利要求1所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1，蒙脱土为未经剥离的钠基蒙脱土原料。

3.根据权利要求1所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2，二维纳米蒙脱土分散液是通过化学-机械剥离法制备得到，具体步骤为：将1.5-2.5g蒙脱土原料溶于300-500mL的N-甲基-2-吡咯烷酮溶液中磁力搅拌10-20min，得到蒙脱土分散液，然后缓慢加入18-30g聚乙烯吡咯烷酮，继续搅拌12-20h，然后静置48-72h，取上清液，得到二维纳米蒙脱土分散液。

4.根据权利要求3所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的蒙脱土原料提前在80-90℃鼓风干燥箱中烘干处理6-8h，以去除残余水分。

5.根据权利要求3所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的磁力搅拌的速度为3000-3200rpm。

6.根据权利要求2所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的聚乙烯吡咯烷酮平均分成三等分，每份间隔5min缓慢加入。

7.根据权利要求1所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤3，聚偏氟乙烯-六氟丙烯的包覆是在二维纳米蒙脱土分散液中加入纳米蒙脱土质量1%-5%的聚偏氟乙烯-六氟丙烯，然后超声处理30-40min，继续搅拌1-2h，得到聚偏氟乙烯-六氟丙烯包覆的二维纳米蒙脱土分散液。

8.根据权利要求1所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤4，无机绝缘薄膜的成型是采用真空抽滤装置对聚偏氟乙烯-六氟丙烯包覆的二维纳米蒙脱土分散液进行抽滤，利用液体的定向流速作用，对纳米片进行取向，使其平行的排列在平均孔径为220μm的滤纸上，得到湿润的无机绝缘薄膜。

9.根据权利要求1所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤5，无机绝缘薄膜的干燥处理是将湿润的薄膜置于80-90℃的鼓风干燥箱中烘干6-8h。

10.根据权利要求1所述的一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤6，无机绝缘薄膜的热力耦合处理是将步骤5干燥后的薄膜置于热压机上，在温度为180-200℃，压力为18-20Mpa条件下，热压30-50min，最终得到具有珍珠层状结构的蒙脱土无机绝缘薄膜。