1.一种低噪声带隙基准电路，其特征在于，包括：

温度补偿电压模块，设置有第一电压连接端、第二电压连接端以及基准电压输出端；

运算放大模块，包括两个输入级三极管形成的输入级，两个所述输入级三极管的基极其中之一与所述第一电压连接端连接，另一与所述第二电压连接端连接；

电流镜像模块，包括镜像三极管以及镜像结构单元，所述镜像三极管与所述输入级三极管的参数相同，所述镜像结构单元与所述镜像三极管连接，所述镜像结构单元用于令所述镜像三极管的工作状态与所述输入级三极管的工作状态相同，以使所述镜像三极管的基极电流与所述输入级三极管的基极电流相等；

电流补偿模块，设置有第一电流补偿端以及第二电流补偿端，所述电流补偿模块与所述镜像三极管的基极连接，所述第一电流补偿端与所述第一电压连接端连接，所述第二电流补偿端与所述第二电压连接端连接，所述电流补偿模块用于对所述第一电压连接端以及对所述第二电压连接端补偿与所述输入级三极管基极电流相反的电流。

2.根据权利要求1所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述运算放大模块还包括第一电流源以及折叠式共栅单元，所述第一电流源分别与两个所述输入级三极管的输入端连接，所述折叠式共栅单元设置有第一输入端以及第二输入端，两个所述输入级三极管的输出端其中之一与所述第一输入端连接，另一与所述第二输入端连接，所述折叠式共栅单元的输出端与所述温度补偿电压模块连接。

3.根据权利要求2所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述折叠式共栅单元由两个第一共栅半边支路连接形成，所述镜像结构单元包括第二电流源以及第二共栅半边支路，所述第二共栅半边支路的结构与所述第一共栅半边支路的结构相同，所述第二电流源的电流为所述第一电流源的电流的一半以使得流向所述镜像三极管的电流与流向所述输入级三极管的电流相等，所述第二共栅半边支路与所述镜像三极管的输出端连接。

4.根据权利要求3所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述第一电流源包括第一PMOS管，所述第二电流源包括第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极以及所述第二PMOS管的源极均与电压源连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接第一偏置电压，所述第一PMOS管的漏极分别与两个所述输入级三极管的输入端连接，所述第二PMOS管的漏极与所述镜像三极管的输入端连接，所述第二PMOS管的宽长比为所述第一PMOS管的宽长比的一半。

5.根据权利要求1所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述电流补偿模块包括电流镜主支路、第一电流镜支路以及第二电流镜支路，所述电流镜主支路与所述镜像三极管的基极连接，所述电流镜主支路分别与所述第一电流镜支路的受控端以及所述第二电流镜支路的受控端连接，所述第一电流镜支路与所述第一电压连接端连接，所述第二电流镜支路与所述第二电压连接端连接。

6.根据权利要求5所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述电流镜主支路包括第一NMOS管，所述第一电流镜支路包括第二NMOS管，所述第二电流镜支路包括第三NMOS管，所述第一NMOS管的漏极分别与所述镜像三极管的基极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极以及所述第三NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一电压连接端连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二电压连接端连接，所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极以及所述第三NMOS管的源极接地。

7.根据权利要求1所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述温度补偿电压模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第三PMOS管，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述第一三极管的基极、所述第二三极管的基极、所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极均接地，所述第二三极管的发射极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第二电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的另一端以及所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述运算放大模块的输出端连接，所述第三PMOS管的源极与供电源连接，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻的连接处形成所述第一电压连接端，所述第三电阻与所述第二电阻的连接处形成所述第二电压连接端，所述第三PMOS管与所述第四电阻的连接处形成所述基准电压输出端。

8.根据权利要求3所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述第一共栅半边支路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管以及第五NMOS管，所述第四PMOS管的源极与供电源连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的栅极与第二偏置电压连接，所述第五PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的栅极与第三偏置电压连接，所述第四NMOS管的源极分别与所述第五NMOS管的漏极以及所述输入级三极管的输出端连接，所述第五NMOS管的栅极与第四偏置电压连接，所述第五NMOS管的源极接地，两个所述第一共栅半边支路其中之一的所述第四PMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极连接，另一的所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接处形成所述运算放大模块的输出端。

9.根据权利要求8所述的一种低噪声带隙基准电路，其特征在于：所述第二共栅半边支路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第六NMOS管以及第七NMOS管，所述第六PMOS管的源极与供电源连接，所述第六PMOS管的漏极与所述第七PMOS管的源极连接，所述第七PMOS管的栅极与所述第二偏置电压连接，所述第七PMOS管的漏极分别与所述第六PMOS管的栅极以及所述第六NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的栅极与所述第三偏置电压连接，所述第六NMOS管的源极分别与所述镜像三极管的输出端以及所述第七NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的栅极与所述第四偏置电压连接，所述第七NMOS管的源极接地。

10.低压差线性稳压器，其特征在于：包括如权利要求1至9任一权利要求所述的一种低噪声带隙基准电路，还包括误差放大器、功率管、第一分压反馈电阻以及第二分压反馈电阻，所述温度补偿电压模块的所述基准电压输出端与所述误差放大器的同相输入端连接，所述误差放大器的输出端与所述功率管的受控端连接，所述功率管的输入端与供电源连接，所述功率管的输出端用于与负载连接，所述第一分压反馈电阻的一端与所述功率管的输出端连接，所述第一分压反馈电阻的另一端分别与所述误差放大器的反相输入端以及所述第二分压反馈电阻的一端连接，所述第二分压反馈电阻的另一端接地。