1.一种宽带低噪声放大器，包括第一级放大器M1、第二级放大器M2、第三级放大器M3；

其特征在于：

第一级放大器M1的栅极经过依次串联的电感Lg2、电感Lg1、电容C1连接到输入端口，第一级放大器M1的漏极经过电容C3与第二级放大器M2的源极连接，第二级放大器M2的栅极接地，第二级放大器M2的漏极经过电容C4与第三级放大器的栅极连接，第三级放大器M3的源极接地，第三级放大器M3的漏极连接输出端口。

2.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第一偏置电路，所述的第一偏置电路包括电感L1和电池Vb1；所述的电池Vb1的负极接地，电池Vb1的正极经过电感L1与电感Lg1和电容C1之间的线路连接；所述的电池Vb1的正极与电感Lg1之间的线路与电容Cb1的正极连接，电容Cb1的负极接地。

3.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：所述的第一级放大器M1的源极与电感Ls的一端连接，电感Ls的另一端接地。

4.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第二偏置电路，所述的第二偏置电路包括电感L2；电感L2的一端与第一级放大器M1的漏极和电容C3之间的线路连接，另一端与电池Vdd的正极连接，电池Vdd的负极接地。

5.如权利要求4所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：所述的电容C3与第二级放大器M2的源极之间的线路与电感L3的一端连接，电感L3的另一端接地。

6.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第三偏置电路，所述的第三偏置电路包括电阻R1、电感L4；所述的电阻R1、电感L4并联，其并联电路的一端与电感L2的一端与第二级放大器M2的漏极和电容C4之间的线路连接，另一端与电池Vdd的正极连接，电池Vdd的负极接地。

7.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第四偏置电路，所述的第四偏置电路包括电阻R2、电感L5、电池Vb2，所述的电池Vb2的负极接地，电池Vb2的正极经过依次串联的电阻R2、电感L5后，与电容C4和第三级放大器的栅极之间的线路连接。

8.如权利要求7所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：电阻R2和电感L5之间的线路与电容C5的正极连接，电容C5的负极接地；电感L5与电池Vb2的正极之间的线路与电容C6的正极连接，电容C6的负极接地。

9.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：还包括第五偏置电路，所述的第五偏置电路包括电阻R3、电感L6；所述的电阻R3、电感L6并联，其并联电路的一端与电感L6的一端与第三级放大器M3的漏极连接，另一端与电池Vdd的正极连接，电池Vdd的负极接地。

10.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于：

所述的第一级放大器M1、第二级放大器M2、第三级放大器M3均为GaAs赝高电子迁移率晶体管。