1.一种抗辐射涂料，其特征在于，包括以下质量份的组分：25～40份苯丙乳液、8～15份滑石粉、5～12份助溶剂、4～12份硅溶胶、4～9份含硅醇基的磁性二氧化硅微球、3～7份改性重晶石粉、2～5份锆溶胶、1～4份膨胀石墨、0.2～1份羟丙基甲基纤维素、0.1～1份氨基改性聚硅氧烷、0.1～0.6份醇酯十二、5～18份去离子水；

所述改性重晶石粉的制备方法为：

将重晶石研磨至200～1000目，得到重晶石粉；

将浓硫酸、浓硝酸与去离子水按照质量比1：(0.5～2)：(12～20)配制成改性液，将重晶石粉加入到改性液中，超声处理，过滤，干燥，得到预处理重晶石粉；

将预处理重晶石粉经过等离子体改性处理，干燥，得到改性重晶石粉；

所述等离子体改性处理在等离子设备等离子清洗机中进行，其中等离子体清洗机的处理时间为10～40min、功率为150～300W、空气流量为200～500ml/min。

2.根据权利要求1所述的抗辐射涂料，其特征在于，包括以下质量份的组分：30～40份苯丙乳液、10～15份滑石粉、8～12份助溶剂、6～12份硅溶胶、5～9份含硅醇基的磁性二氧化硅微球、4～7份改性重晶石粉、2～3份锆溶胶、1～3份膨胀石墨、0.2～0.8份羟丙基甲基纤维素、0.1～0.8份氨基改性聚硅氧烷、0.1～0.5份醇酯十二、10～18份去离子水。

3.根据权利要求1所述的抗辐射涂料，其特征在于，包括以下质量份的组分：35份苯丙乳液、12份滑石粉、10份助溶剂、8份硅溶胶、8份含硅醇基的磁性二氧化硅微球、6份改性重晶石粉、2.7份锆溶胶、2份膨胀石墨、0.6份羟丙基甲基纤维素、0.5份氨基改性聚硅氧烷、0.2份醇酯十二、15份去离子水。

4.根据权利要求1所述的抗辐射涂料，其特征在于，所述含硅醇基的磁性二氧化硅微球的粒径为0.1～5μm。

5.根据权利要求1所述的抗辐射涂料，其特征在于，所述助溶剂包括醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、乙二醇甲醚、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。

6.权利要求1～5任一所述的抗辐射涂料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将含硅醇基的磁性二氧化硅微球、硅溶胶、改性重晶石粉、助溶剂、去离子水加入到反应釜中，加热至75～95℃，以200～600rpm转速搅拌12～24h；

降温至35～45℃，加入苯丙乳液、滑石粉、锆溶胶、膨胀石墨、羟丙基甲基纤维素、氨基改性聚硅氧烷、醇酯十二，以400～1000rpm转速搅拌均匀，得到抗辐射涂料。

7.一种抗辐射涂层，其特征在于，包括自上而下的上层、中间层、下层，其中上层通过用权利要求1～5任一所述的抗辐射涂料形成。

8.根据权利要求7所述的抗辐射涂层，其特征在于，其中中间层为二氧化硅，下层为氟化钙；

上层的厚度为100～500nm；中间层的厚度为50～200nm。