1.一种单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，包括：获取单晶硅片图像，所述单晶硅片图像中包括多条线痕；

对所述单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；

基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；

判断所述偏离值是否不大于预设偏离值；

若是，则确定所述单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定所述单晶硅片存在线痕缺陷；

其中，所述对所述单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域，包括：根据所述单晶硅片图像进行裁剪，得到线痕区域；

对所述线痕区域进行上边界线痕识别，得到上边界线痕对应的位置信息；

基于上边界线痕对应的位置信息按照预设宽度对线痕区域进行划分，得到至少两个子线痕区域。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，上边界线痕对应的位置信息包括：上边界线痕对应的顶点位置信息；

所述对所述线痕区域进行上边界线痕识别，得到上边界线痕对应的位置信息，包括：基于所述线痕区域和预设线痕走向，确定上边界线痕图像；

基于上边界线痕图像进行线痕识别，得到上边界线痕对应顶点位置信息。

3.根据权利要求1所述的单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息之前，还包括：获取所有子线痕区域各自对应的区域边界图像，以确定是否存在任一目标线痕位于两个相邻子线痕区域内；

若是，则基于两个相邻子线痕区域各自对应的目标线痕图像，确定两个相邻子线痕区域各自对应的目标线痕面积；

基于两个相邻子线痕区域各自对应的目标线痕面积，确定所述目标线痕对应的归属子线痕区域。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述单晶硅片存在线痕缺陷之后，还包括：基于所述单晶硅片图像对线痕区域进行位置信息识别，得到线痕区域对应的位置集合；

基于所述位置集合和预设线痕缺陷类型的分布规则，确定单晶硅片的线痕缺陷类型；

基于所述线痕缺陷类型，生成线痕缺陷类型信号，以进行线痕缺陷类型的提醒。

5.根据权利要求4所述的单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述线痕缺陷类型，生成线痕缺陷类型信号之后，还包括：当所述线痕缺陷类型为整面密集型线痕时，获取与所述单晶硅片对应的硅片标识信息；

基于所述硅片标识信息，确定所述单晶硅片在硅棒中的位置信息；

基于预设的位置信息与切割线标识信息的对应关系和所述位置信息，确定与单晶硅片对应的切割线标识信息；

将所述切割线确定为故障切割线，并触发切割线故障提醒事件，以进行故障提醒。

6.根据权利要求1-5任一项所述的单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述单晶硅片存在线痕缺陷之后，还包括：对所述单晶硅片图像中的进行图像信息识别，得到所有线痕各自对应的灰度值信息；

基于所有线痕各自对应的灰度值信息，确定所有线痕各自对应的线痕深度信息；

从所有线痕各自对应的线痕深度信息选取最大线痕深度信息，并基于所述最大线痕深度信息判断单晶硅片是否满足修复标准；

若是，则生成单晶硅片修复提醒事件，以修复单晶硅片。

7.一种单晶硅片缺陷检测装置，其特征在于，包括： 图像获取模块，用于获取单晶硅片图像，所述单晶硅片图像中包括多条线痕；

线痕区域划分模块，用于对所述单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；

偏离值确定模块，用于基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；

偏离值判断模块，用于判断所述偏离值是否不大于预设偏离值；

若是，则触发缺陷不存在确定模块；

否则，则触发缺陷存在确定模块；

缺陷不存在确定模块，用于确定所述单晶硅片不存在线痕缺陷；

缺陷存在确定模块，用于确定所述单晶硅片存在线痕缺陷。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；

存储器；

至少一个应用程序，其中至少一个应用程序被存储在存储器中并被配置为由至少一个处理器执行，所述至少一个应用程序配置用于：执行权利要求1～6任一项所述的单晶硅片缺陷检测方法。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机中执行时，令所述计算机执行权利要求1～6任一项所述的单晶硅片缺陷检测方法。