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专利号: 2023104797712
申请人: 江苏大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2026-10-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于旋转椭圆介质柱的太赫兹谷拓扑光子晶体,其特征在于,由旋转椭圆介质柱在背景折射率为1.39的介质中排列而成,所述旋转椭圆介质柱截面形状是由三段椭圆形弧首尾相接围绕而成的C3对称结构图形,所述旋转椭圆介质柱的折射率;所述椭圆形的长半轴为a、短半轴为b,每一个旋转椭圆介质柱构成一个正六边形晶胞,相邻正六边形晶胞中心之间的距离是晶格常数为,所述旋转椭圆介质柱绕其轴线逆时针方向旋转的偏转角为,且,定义旋转椭圆介质柱的椭圆形弧的短轴位于所述旋转椭圆介质柱轴线与正六边形晶胞顶角连线上时的偏转角。

2.根据权利要求1所述的谷拓扑光子晶体,其特征在于,所述旋转椭圆介质柱绕其轴线逆时针方向旋转的偏转角为,所述谷拓扑光子晶体具有两个光子带隙,称为VPC1。

3.根据权利要求1所述的谷拓扑光子晶体,其特征在于,所述旋转椭圆介质柱绕其轴线逆时针方向旋转的偏转角为,所述谷拓扑光子晶体具有两个光子带隙,称为VPC2。

4.根据权利要求1所述的谷拓扑光子晶体,其特征在于,所述旋转椭圆介质柱绕其轴线逆时针方向旋转的偏转角=时,所述谷拓扑光子晶体具有简并的狄拉克锥,称为VPC3。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的谷拓扑光子晶体,其特征在于,所述旋转椭圆介质柱长半轴,短半轴,其中r为。

6.根据权利要求5所述的谷拓扑光子晶体,其特征在于,所述晶格常数。

7.一种基于权利要求1所述的谷拓扑光子晶体的光波导结构,其特征在于,所述光波导结构是由偏转角为的光子晶体VPC2与偏转角为的光子晶体VPC1相邻拼接而成,光子晶体VPC2与光子晶体VPC1之间具有与所述旋转椭圆介质柱轴线平行的拼接边界,所述光波导结构具有两个公共带隙。

8.根据权利要求7所述的光波导结构,其特征在于,所述光子晶体VPC2与光子晶体VPC1之间的拼接边界具有弯折。

9.根据权利要求7所述的光波导结构,其特征在于,所述光子晶体VPC2与光子晶体VPC1之间的拼接边界为一条或多条。

10.根据权利要求7所述的光波导结构,其特征在于,支持光单向传输,受拓扑保护的边界态波导结构,其工作带宽范围是0.63至0.84、对应于190THz-240THz和1.35至1.73 、对应于400THz-520THz,其中c为光速。