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专利号: 2022230755960
申请人: 江苏科来材料科技有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种硅基异质结太阳能电池片,包括N型单晶硅片、位于所述N型单晶硅片表面的本征非晶硅层、位于所述本征非晶硅层表面的掺杂层、位于所述掺杂层表面的导电薄膜,所述导电薄膜上设有金属电极,其特征在于,所述金属电极包括设于所述导电薄膜上的铜基层及覆于所述铜基层表面上的锡层。

2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池片,其特征在于,所述锡层的厚度为所述金属电极的整体厚度的5~15%。

3.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池片,其特征在于,所述锡层电镀形成于所述铜基层的表面上。

4.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池片,其特征在于,所述铜基层覆设于所述导电薄膜的表面上。

5.根据权利要求4所述的硅基异质结太阳能电池片,其特征在于,所述铜基层印刷、转印或喷涂于所述导电薄膜的表面上。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述N型单晶硅片的上表面从下往上依次包括所述本征非晶硅层、所述掺杂层、所述导电薄膜、所述金属电极和所述锡层,所述N型单晶硅片的下表面从上往下依次包括所述本征非晶硅层、所述掺杂层、所述导电薄膜、所述金属电极和所述锡层。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述掺杂层包括磷或硼,所述N型单晶硅片上方的掺杂层掺杂磷,所述N型单晶硅片下方的掺杂层掺杂硼;或所述N型单晶硅片上方的掺杂层掺杂硼,所述N型单晶硅片下方的掺杂层掺杂磷。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述导电薄膜的厚度为90nm‑

120nm。

9.一种光伏组件,其特征在于,所述光伏组件包括如权利要求1‑8中任一权利要求所述的太阳能电池片。

10.根据权利要求9所述的光伏组件,其特征在于,相邻的两个所述太阳能电池片通过一或多个镀锡铜焊带串接,所述镀锡铜焊带的一端部和其中一个太阳能电池片正面上的所述金属电极的锡层焊接,所述镀锡铜焊带的另一端部和另一个太阳能电池片背面上的所述金属电极的锡层焊接。