1.基于高次模的FSIW毫米波微带天线，包括多个周期性阵列分布的天线模块；其特征在于每个天线模块为2×2天线阵列，包括天线辐射结构、两个FSIW腔体结构、Y型波导功率分配器；

所述天线辐射结构，包括天线辐射单元、第一介质层（2）、第一金属层（3）；

所述的天线辐射单元包括四个大小相同、呈2×2阵列分布的金属矩形贴片（1），四个金属矩形贴片（1）间存在间隙；

所述的第一金属层（3）刻蚀有四对与金属矩形贴片（1）相对应的耦合馈电缝隙对（8）；每个金属矩形贴片（1）的中心与对应耦合馈电缝隙对（8）的中心对齐；

所述耦合馈电缝隙对（8）关于第一介质层（2）长边方向轴线轴对称设置；

所述两个FSIW腔体结构关于天线模块的沿着矩形耦合缝隙（10）长边方向向轴线轴对称设置；每个FSIW腔体结构包括第一金属层（3）、第二介质层（4）、第二金属层（5）、设置在所述第二介质层（4）中间层的中间金属层（9b）、贯穿第二介质层（4）的第一金属化通孔阵列（9a）、第二金属化盲孔阵列（9d）；

所述第二金属化盲孔阵列（9d）构成由SIW的两侧电壁经过折叠后重合形成的FSIW腔体电壁；

所述第一金属化通孔阵列（9a）构成由SIW的磁壁处折叠后封闭形成FSIW腔体的两侧长边金属壁和两短路金属壁；

所述中间金属层（9b）由SIW的折叠面构成，第一金属化通孔阵列（9a）所包围的两短路金属壁贯穿中间金属层（9b），其中中间金属层（9b）的长边长度长于第一金属化通孔阵列（9a）所包围的两侧长边金属壁长度；

所述FSIW腔体的两侧长边金属壁与所述中间金属层（9b）不接触；

所述第二金属层（5）刻蚀有2条矩形耦合缝隙（10），且分别位于第二金属化盲孔阵列（9d）的正下方；

所述Y型波导功率分配器采用一分二等分功分器；两条矩形耦合缝隙（10）在所述Y型波导功率分配器上的投影分别位于所述Y型波导功率分配器等分出的两条通路内。

2.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，沿着矩形耦合缝隙（10）短边方向相邻金属矩形贴片（1）间距M_x为0.5λ0~λ0，沿着矩形耦合缝隙（10）长边方向相邻金属矩形贴片（1）间距M_y为0.5λ0~λ0，其中λ0为28GHz在自由空间中所对应的波长。

3.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，所述金属矩形贴片（1）宽度Wp满足0.28λ0、长度Lp满足0.20λ0，调控天线辐射在毫米波频段。

4.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，两个FSIW腔体中心的距离和沿着矩形耦合缝隙（10）短边方向上的两个金属矩形贴片（1）间距相同。

5.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，还包括用于连接中间金属层（9b）与第一金属层（3）的边中心金属微扰柱（9c）、用于连接中间金属层（9b）与第二金属层（5）的辐射匹配金属微扰柱（9e），分别用于平分高次模和天线辐射匹配。

6.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，通过调控边中心金属微扰柱（9c）与所述第二金属化盲孔阵列（9d）构成的电壁间距离Xm、辐射匹配金属微扰柱（9e）与所述第二金属化盲孔阵列（9d）构成的电壁间距离Xs，实现调整工作带宽。

7.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，所述的矩形耦合缝隙（10）的长度Ls1为FSIW波导波长λg的四分之一，确保能够耦合谐振，其宽度Ws1应尽量的小。

8.根据权利要求1所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，所述Y型波导功率分配器包括第二金属层（5）、第三介质层（6）、第三金属层（7）、贯穿第三介质层（6）的第三金属化通孔阵列、以及耦合匹配金属微扰柱（11a）、折射微扰柱（11b）、中心金属微扰柱（11c）；

所述耦合匹配金属微扰柱（11a）与矩形耦合缝隙（10）用于将能量从Y型波导功分器耦合到两个FSIW腔体中；将输入信号能量平分的中心金属微扰柱（11c）放置于“Y”字的分岔位置，通过调控中心金属微扰柱（11c）与输入端口的距离Dxv3，将被平分的能量耦合到折射微扰柱（11b），再90度耦合到矩形耦合缝隙（10）处。

9.根据权利要求8所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于，所述耦合匹配金属微扰柱（11a）、折射微扰柱（11b）、中心金属微扰柱（11c）、第一金属化通孔阵列（9a）和第二金属化盲孔阵列（9d）的孔径相同。

10.根据权利要求8所述基于高次模的FSIW毫米波微带天线，其特征在于：

输入端输入电场为TE10模式的信号，信号被Y型波导功分器平分成两路等分的半功率信号；两端的半功率信号经矩形耦合缝隙（10）作用下，耦合到两个FSIW腔体；

所述FSIW腔体根据所设计的频段选择合适的宽度，公式如下：

；

其中，Co表示光速，d表示通孔直径，s表示通孔间距，表示TE20模的截止频率；

因为将SIW折叠后，第二金属化盲孔阵列（9d）的宽度，FSIW上下层的宽度并不相等，引入修正项：；

修正项作为参考，选择折叠缝隙宽度Wf；

根据波导波长的四分之一作为矩形耦合缝隙（10）的长度Ls1；

；

其中，表示所选毫米波频段的中心频率在自由空间中的波长，表示FSIW的截止频率；

信号的电场TE10模经过矩形耦合缝隙（10）的耦合作用，在矩形耦合缝隙（10）长边两侧产生了相位相反的TE20模高次模电场，然后引入边中心金属微扰柱（9c），拓展频率带宽，令其分别在FSIW上下层中心沿沿着矩形耦合缝隙（10）短边方向方向移动做电磁仿真，得到最佳性能位置，位于FSIW上层且距离第二金属化盲孔阵列（9d）的沿着矩形耦合缝隙（10）短边方向方向Xs；

最后，TE20电场在FSIW腔下层的辐射匹配金属微扰柱（9e）的匹配作用下，在耦合馈电缝隙对（8）处形成辐射场源；TE20模的两个电场相位相反，在两个折叠的FSIW腔体中作用于矩形耦合缝隙（10），产生相同的辐射场源并耦合到金属矩形贴片（1），产生相同方向的电流，电流叠加，金属矩形贴片（1）向外辐射能量增强。