1.基于PTX对称电介质的多波长激光器，其特征在于，包括由两种折射率不同的电介质薄片A和电介质薄片B对接形成的电介质结构，且所述电介质结构满足nar＝nbr；其中G为尺度变换系数，电介质薄片A的厚度为da，电介质薄片B的厚度为db，nar和nbr分别为电介质薄片A折射率的实部和电介质薄片B折射率的实部，nai和nbi分别为电介质薄片A折射率的虚部和电介质薄片B折射率的虚部；

所述电介质结构支持多波长激光点，所述多波长激光点对应着透射率和反射率的极大值点，且所述多波长激光点所对应的波长可调。

2.根据权利要求1所述的多波长激光器，其特征在于，所述多波长激光器的波长可通过改变入射角的大小来调控。

3.根据权利要求1所述的多波长激光器，其特征在于，所述电介质薄片A和电介质薄片B的基质材料均为铌酸锂。

4.根据权利要求3所述的多波长激光器，其特征在于，所述电介质薄片A的光学损耗通过化学掺杂铝离子Al3+来实现，所述电介质薄片B的光学增益通过化学掺杂铒离子Er3+并利用外界光泵浦来实现。

5.根据权利要求3所述的多波长激光器，其特征在于，所述电介质薄片A和电介质薄片B的折射率实部nar＝nbr＝2.22，电介质薄片A的折射率虚部nai＝0.01*q，电介质薄片B的折射率虚部nbi＝-0.1*q，其中，q为增益-损耗因子。

6.根据权利要求3所述的多波长激光器，其特征在于，所述电介质薄片A的厚度da＝5μm，所述电介质薄片B的厚度db＝0.5μm，所述尺度变换系数G＝10。