1.一种5G通信用微波介质陶瓷材料，其特征在于，其化学式为Mg1‑xCuxSiO3，其中0＜x≤

0.25。

2.根据权利要求1所述的5G通信用微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述5G通信用微波介质陶瓷材料的介电常数为3.3～6.4，介电损耗为0.0001～0.003@10GHz，谐振频率温度系数为‑55～‑33ppm/℃。

3.如权利要求1所述的5G通信用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)以Mg1‑xCuxSiO3为目标物，其中0＜x≤0.25，以MgO、CuO和SiO2为原料，所述原料的纯度均大于99.9％，按照目标物化学式中Mg、Cu、Si元素组成的摩尔比称量所述原料，将称量得到的原料混合后依次进行球磨、烘干、研磨、过筛和预烧，将预烧后的粉料进行二次球磨并烘干，得到粉料；

步骤(2)对步骤(1)中得到的所述粉料进行造粒、过筛、成型，得到生坯；

步骤(3)将步骤(2)中的生坯在1100℃～1350℃进行烧结，得到微波介质陶瓷。

4.如权利要求3所述的5G通信用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述烧结工艺包括如下步骤：以每分钟5℃的升温速率升温到1100℃～1350℃，保温5小时；保温结束后，以每分钟2℃的降温速率降至800℃，其后随炉冷却至室温。

5.如权利要求3所述的5G通信用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述预烧工艺包括如下步骤：以每分钟5℃的升温速率在1200℃～

1300℃预烧5小时。

6.如权利要求3所述的5G通信用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，对所述MgO在所述称量之前进行900℃煅烧2小时的预处理。

7.如权利要求3所述的5G通信用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述烘干温度为80℃，烘干时间为24小时，所述过筛使用的是120目的标准筛。

8.如权利要求7所述的5G通信用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述造粒的具体工艺包括：使用浓度为10wt％的PVA水溶液作为粘合剂粘结所述粉料，所述过筛使用的是40目的标准筛，所述成型是通过采用直径为12mm的圆柱形钢制模具进行压模成型。

9.将根据权利要求1或2所述的5G通信用微波介质陶瓷材料应用于制备5G通信元件，其特征在于，所述5G通信元件包括：微波基板、谐振器、滤波器。