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专利号: 2022112373750
申请人: 天津工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 一般的物理或化学的方法或装置
更新日期:2023-09-13
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种胺分子插层双还原氧化石墨烯复合膜的制备方法,其特征在于,氢氧化钠作为第一还原剂使氧化石墨烯纳米片脱氧,并防止胺分子遇氧化石墨烯絮凝;随后,聚乙烯亚胺分子作为交联剂和第二还原剂嵌入氧化石墨烯纳米片表面和层间,并使氧化石墨烯发生第二次还原;将经过两次还原且分子桥接的氧化石墨烯纳米片堆叠在聚醚砜基膜上得到了分子插层双还原氧化石墨烯复合膜,包括以下步骤:步骤一、将聚乙烯亚胺分子和氧化石墨烯分散在去离子水中分别超声0.5h和1h,得到胺分散液和氧化石墨烯分散液,然后将氧化石墨烯分散液离心20min后收集上清液;

步骤二、用1摩尔每升的氢氧化钠溶液调节氧化石墨烯上清液pH,得到混合溶液A;

步骤三、将混合溶液A和胺分散液混合、搅拌,得到混合溶液B;

步骤四、将混合溶液B真空抽滤到聚醚砜基膜上,置于70℃烘箱中热交联2h,得到胺分子插层双还原氧化石墨烯复合膜。

2.一种如权利要求1所述的胺分子插层双还原氧化石墨烯复合膜的制备方法,其特征在于所述步骤一中,聚乙烯亚胺溶液的浓度为1g/L,氧化石墨烯溶液的浓度为0.01g/L,聚乙烯亚胺与氧化石墨烯的质量比为10∶1,离心机的转速为10000rpm。

3.一种如权利要求1所述的胺分子插层双还原氧化石墨烯复合膜的制备方法,其特征在于所述步骤二中,调节氧化石墨烯上清液的pH至10.9~11.3。

4.一种如权利要求1所述的胺分子插层双还原氧化石墨烯复合膜的制备方法,其特征在于所述步骤三中,搅拌时间为20~40min,转速为100~200rpm。

5.一种如权利要求1所述的胺分子插层双还原氧化石墨烯复合膜的制备方法,其特征在于所述步骤四中,真空抽滤的压力为‑0.1MPa。