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专利号: 2022112084017
申请人: 山西医科大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
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摘要:

权利要求书:

1.一种CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,将醋酸镉(Ⅱ)水合物与硫脲在去离子水中混合,再加入二乙烯三胺,在112℃‑

120℃冷凝回流11‑15 h,过滤、洗涤后干燥,获得CdS NRs;

步骤二,将CdS NRs均匀分散在石英片上,然后转移至ALD室,以双(环戊二烯基)镍和臭氧为前驱体,采用原子层沉积法将NiO沉积在CdS NRs上,获得CdS/NiO;

步骤三,将CdS/NiO超声分散在NaOH溶液中形成均一分散液,加入HAuCl4 溶液调pH至中性,后经搅拌、过滤、洗涤、冷冻干燥得到CdS/NiO‑Au复合纳米材料。

2.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤一中,醋酸镉(Ⅱ)水合物与硫脲按质量比(1.6‑1.8):1进行混合。

3.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤一中,过滤后,沉淀物用去离子水、无水乙醇洗涤,然后在真空烘箱65‑85℃中干燥10‑14 h。

4.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤二中,采用的原子层沉积法中,沉积温度为260‑280℃;前驱体温度为65‑70℃;载气和吹扫气体为:10‑

50 sccm的高纯氮气。

5.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤二中,采用的原子层沉积法中,单循环脉冲、暴露和吹扫时间为:首先双(环戊二烯基)镍脉冲时间为6‑

10 s,暴露时间为11‑15 s,吹扫时间为21‑25 s;然后臭氧脉冲时间为0.5‑1.5 s,暴露时间为11‑15 s,吹扫时间为21‑25 s,、即完成一次沉积循环,重复此沉积循环即得到不同厚度纳米NiO包覆的CdS NRs产物。

6.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤三中,均一分散液的浓度为0.5‑1.5 mg/mL。

7.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤三中,HAuCl4 溶液的浓度为0.05‑0.2 g/mL。

8.根据权利要求1所述的CdS基复合纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤三中,加入HAuCl4 溶液调pH至中性后,超声8‑12 min,再搅拌1‑3 h,真空过滤收集产物,用去离子水、无水乙醇进行洗涤,最后冷冻干燥20‑28 h得到CdS/NiO‑Au复合纳米材料。

9.由权利要求1‑8任意一项制备方法获得的CdS基复合纳米材料。

10.权利要求9所述的CdS基复合纳米材料在制备检测E.coli O157:H7的光电化学生物传感器中的应用。