1.一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）采用物理气相沉积法，在耐高温衬底上沉积耐高温导电薄膜；

2）将装有SnS粉末的陶瓷舟放入管式炉中，将步骤1）沉积耐高温导电薄膜的衬底放在距离陶瓷舟1‑5cm的位置，在惰性气氛下升温至600‑800℃并保温10‑60min，在衬底上生长出SnS纳米线阵列；

3）以含有铜、锌两种离子以及硫代硫酸钠的水溶液作为前驱液，把前驱液和步骤2）所得生长有SnS纳米线阵列的衬底放入反应釜中进行水热反应；水热反应结束后将产物在惰性气氛保护下于100‑400℃退火处理5‑20h；

步骤3）中，水热反应温度为80‑180℃，水热反应时间为6‑12h。

2.如权利要求1所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述物理气相沉积法为溅射法、热蒸发法、电子束蒸发法、激光束蒸发法或硒化法。

3.如权利要求1所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述耐高温衬底为陶瓷、云母或硅片。

4.如权利要求1所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述耐高温导电薄膜为钼、金、钨或镍，耐高温导电薄膜的厚度为50nm‑10μm。

5.如权利要求1所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，步骤3）所述前驱液中，铜离子浓度为0.3‑0.7mmol/L、锌离子浓度为0.2‑0.4mmol/L，硫代硫酸钠浓度为0.6‑1.0mmol/L。