1.一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列,其特征在于,由规则排列的纳米线组成。2.如权利要求1所述的铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列,其特征在于,所述半导体为具有单晶结构的铜锌锡硫;所述规则排列的纳米线的直径为0.01‑50μm,长度为0.01‑100μm。3.一种权利要求1所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)采用物理气相沉积法,在耐高温衬底上沉积耐高温导电薄膜;2)将装有SnS粉末的陶瓷舟放入管式炉中,将步骤1)沉积耐高温导电薄膜的衬底放在距离陶瓷舟1‑5cm的位置,在惰性气氛下升温至600‑800℃并保温10‑60min,在衬底上生长出SnS纳米线阵列;3)以含有铜、锌两种离子以及硫代硫酸钠的水溶液作为前驱液,把前驱液和步骤2)所得生长有SnS纳米线阵列的衬底放入反应釜中进行水热反应;水热反应结束后将产物在惰性气氛保护下于100‑400℃退火处理5‑20h。4.如权利要求3所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述物理气相沉积法为溅射法、热蒸发法、电子束蒸发法、激光束蒸发法或硒化法。5.如权利要求3所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述耐高温衬底为陶瓷、云母或硅片。6.如权利要求3所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述耐高温导电薄膜为钼、金、钨或镍,耐高温导电薄膜的厚度为50nm‑10μm。7.如权利要求3所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,步骤3)中,水热反应温度为80‑180℃,水热反应时间为6‑12h。8.如权利要求7所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,步骤3)所述前驱液中,铜离子浓度为0.3‑0.7mmol/L、锌离子浓度为0.2‑0.4mmol/L,硫代硫酸钠浓度为0.6‑1.0mmol/L。9.权利要求1或2所述铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列在光伏领域的应用。