1.一种用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用包含氨水杨酸、5,10,15,20–四(4–羟基苯基)卟啉和4-巯基苯硼酸在内的原料，通过水热法合成碳量子点；

2)制备比率型荧光碳点配合物：

2-1)利用步骤1)得到的碳量子点制备碳点溶液；

2-2)将稀土金属离子M

3)制备羧基聚苯乙烯微球；

4)将步骤2)得到的比率型荧光碳点配合物修饰到步骤3)得到的羧基聚苯乙烯微球上，得到该比率型荧光探针；

其中，M

2.根据权利要求1所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，所述步骤1)具体包括：

1-1)将氨水杨酸、5,10,15,20–四(4–羟基苯基)卟啉、4-巯基苯硼酸加入乙醇和水的混合溶液中，超声，得到混合物；

1-2)将步骤1-1)得到的混合物转移到水热反应釜中，150-230℃下反应8-24h；

1-3)反应结束后冷却至室温，产物离心，离心液先用滤膜过滤，得到的滤液用截留分子量为500-1000Da的透析袋透析12-48h，收集透析袋内的透析液，冷冻干燥，得到碳量子点。

3.根据权利要求2所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，所述步骤2)具体包括：

2-1)将步骤1)制备的碳点加入超纯水中，搅拌，超声分散5-30min，制备得到碳点溶液；

2-2)制备稀土金属离子M

2-3)反应结束后冷却至室温，产物在2000-6000rpm下离心1-5min，固体产物真空干燥，得到M与碳量子点的配合物，即所述比率型荧光碳点配合物。

4.根据权利要求3所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，其中，M

2-1)将步骤1)制备的碳点加入超纯水中，搅拌，超声分散5-30min，制备得到碳点溶液；

2-2)将Tb(NO

2-3)反应结束后冷却至室温，产物在2000-6000rpm下离心1-5min，固体产物真空干燥，得到Tb与碳量子点的配合物，即所述比率型荧光碳点配合物。

5.根据权利要求4所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，其中，所述碱溶液为氢氧化钠溶液或氨水。

6.根据权利要求1所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，所述步骤3)具体包括：

3-1)制备聚苯乙烯微球：

3-1-1)将PVP溶解于无水乙醇中，搅拌均匀，通入N

3-1-2)将AIBN加入苯乙烯中，搅拌均匀，通入N

3-1-3)将混合物A和B混合，搅拌均匀，于40-65℃下反应5-45min，然后升高温度至68-95℃，聚合反应6-24h；

3-1-4)反应结束后离心，将离心得到的固体产物用乙醇和去离子水依次清洗，干燥过夜，得到聚苯乙烯微球；

3-2)聚苯乙烯微球表面羧基化包覆：

3-2-1)将聚苯乙烯微球分散在十二烷基硫酸钠溶液中；

3-2-2)向步骤3-2-1)得到的混合物中加入过硫酸钠、十一烯酸的乙醇溶液和二乙烯基苯的甲醇溶液，搅拌均匀，超声3-25min；

3-2-3)于55-90℃下反应3-10h，反应结束后离心，离心得到的固体产物用乙醇和水依次清洗，干燥，得到羧基聚乙烯微球。

7.根据权利要求6所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，步骤4)具体包括：

4-1)将步骤2)制得的比率型荧光碳点配合物加入去离子水中，超声分散，制备成荧光碳点配合物溶液；

4-2)向荧光碳点配合物溶液中加入1,3-二环己基碳二亚胺；

4-3)取步骤3)制得的羧基聚乙烯微球加入到步骤4-2)得到的混合液中，40-75℃下，搅拌反应6-16小时，反应结束后离心，离心得到的固体产物用去离子水洗涤，真空干燥，得到该比率型荧光探针。

8.根据权利要求7所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，利用该比率型荧光探针进行核酸扩增产物检测的方法为：Ⅰ、将比率型荧光探针加入去离子水中，搅拌均匀，配制成探针溶液；

Ⅱ、将步骤Ⅰ得到的探针溶液加入到待测样品进行核酸扩增反应后的产物中，搅拌均匀得到检测混合液，静置3-20min；

Ⅲ、利用波长为385nm的激发光源照射步骤Ⅱ得到的检测混合液，测量检测混合液在582nm处的黄色荧光强度I

9.根据权利要求8所述的用于核酸扩增产物检测的比率型荧光探针的制备方法，其特征在于，所述步骤Ⅲ中，标准曲线fa、将比率型荧光探针加入去离子水中，搅拌均匀，配制成探针溶液；

b、根据要检测的目标物，预先一系列浓度的若干份体积均为V的目标物标准溶液，然后将每份目标物标准溶液于相同条件下分别进行核酸扩增；

c、完成核酸扩增后，在得到的每份扩增产物中分别加入等体积、等浓度的探针溶液，搅拌均匀得到检测混合液，静置3-20min；

d、对于每一份检测混合液，测量其在385nm的激发光下，582nm处的荧光强度I