1.一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）制备含嵌入阴离子的钴基氢氧化物前驱体：将钴源、尿素加入去离子水中，搅拌至充分溶解后将所配溶液倒入反应釜内胆，将干净的泡沫镍放入内胆中，用不锈钢外套密封好，在90 100℃温度下加热5 8h后取出，分别在去离子水和无水乙醇中超声干净并在烘箱~ ~中烘干，得到碳酸羟基钴前驱体；

（2）浸泡活化处理：配置一定浓度KOH与K2CO3的混合溶液制备活化液，将步骤（1）得到的碳酸羟基钴前驱体在活化液中恒温25 30℃浸泡20 30h，分别在去离子水和无水乙醇中超~ ~声干净并在烘箱中烘干;

（3）P掺杂处理：将步骤（2）得到的活化样品和偏磷酸钠放在CVD管式炉中退火后得到最终产物。

2.根据权利要求1所述的提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法，其特征在于，步骤（1）中钴源为硝酸钴、硫酸钴、氯化钴、氟化钴、溴化钴中的一种。

3.根据权利要求1所述的提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法，其特征在于，步骤（1）和（3）中钴源、尿素和偏磷酸钠的摩尔比为4:20:4‑5，且制备的前驱体颜色深面标记为正面。

4.根据权利要求1所述的提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法，其特征在于，步骤（2）中KOH与K2CO3的混合溶液中KOH浓度为0.5~3M，K2CO3浓度为0.1~0.5M。

5.根据权利要求1所述的提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法，其特征在于，步骤（3）中退火温度为300‑400℃，活化样品正面朝上，反面完全贴着石英舟底部。