1.一种掺杂氧离子的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，按以下步骤进行：(1)制备混合料：

称量至少两种第一材料且每种1Mol、至少一种但不多于所述第一材料组元数的第二材料且每种1Mol和0.5 1.0Mol第三材料并混匀，密封并球磨制成混合料；

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所述第一材料选自TiC、TiN、NbC、TiCN、ZrC、NbN、HfC、Mo2C、TaN、VC、TaC、VN、ZrN、MoN、HfN中的至少两种，所述第二材料选自Nb、V、Zr、Ta、Mo、Hf中的至少一种但不多于所述第一材料的组元数，所述第三材料包括TiO2、VO、CoO、MoO3；

(2)制备烧结体：

将所述混合料在氩气条件下取出，放入模具中烧结得到所述高熵陶瓷；

所述烧结过程为：通入氩气，加载30 50MPa，升温至1700 1900℃并保温10min，自然冷~ ~却，当温度低于60℃时，停止氩气，取出模具并拆解。

2.根据权利要求1所述的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述球磨的球料比为10 20:1，所述球磨时间为30 40h。

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3.权利要求1 2任一项所述的制备方法制备得到的掺杂氧离子的高熵陶瓷。

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