1.一种调控圆偏振发光的装置，其特征在于，所述装置包括：基底、石墨烯层、结构层和荧光分子层；其中，所述结构层包括多个周期设置的结构部，每个所述结构部均包括：第一纳米线、第二纳米线、第一纳米棒、第二纳米棒、第一磁致伸缩材料部和第二磁致伸缩材料部；所述石墨烯层设置在所述基底的一侧，所述第一纳米线和所述第二纳米线相互平行设置在所述石墨烯层远离所述基底的一侧，所述第一纳米棒垂直连接在所述第一纳米线靠近所述第二纳米线的一侧，所述第二纳米棒垂直连接在所述第二纳米线靠近所述第一纳米线的一侧，所述第一纳米棒和所述第二纳米棒的延长线不重合，所述第一纳米线、所述第二纳米线、所述第一纳米棒、所述第二纳米棒围成的区域中形成环线电流；所述第一磁致伸缩材料部设置在所述第一纳米棒远离所述第二纳米棒的一侧，所述第二磁致伸缩材料部设置在所述第二纳米棒远离所述第一纳米棒的一侧，所述第一磁致伸缩材料部和所述第二磁致伸缩材料部不与所述第一纳米线和所述第二纳米线接触，所述荧光分子层涂覆在所述结构层和所述石墨烯层远离所述基底一侧的表面。

2.如权利要求1所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米线和所述第二纳米线的材料为贵金属。

3.如权利要求1所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米棒和所述第二纳米棒的材料为贵金属。

4.如权利要求1所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一磁致伸缩材料部和所述第二磁致伸缩材料部的材料为铁镓或铁硅硼或镍材料。

5.如权利要求1所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述基底的材料为硅。

6.如权利要求1所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的垂直距离为200nm-400nm。

7.如权利要求6所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米棒和所述第二纳米棒的长度为50nm-300nm。

8.如权利要求7所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米棒和所述第二纳米棒的宽度为40nm-80nm。

9.如权利要求8所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米棒和所述第二纳米棒之间的垂直距离为20nm-120nm。

10.如权利要求1-9任一项所述的调控圆偏振发光的装置，其特征在于：所述第一纳米线、所述第二纳米线、所述第一纳米棒、所述第二纳米棒的高度相等。