1.一种还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：步骤a、在氧化铟锡ITO导电玻璃基底上制备RGO/M‑TiO2复合功能层；

步骤b、在覆有所述RGO/M‑TiO2复合功能层的基底表面生长氧化锌纳米棒；

步骤c、制备三电极体系的还原型谷胱甘肽光电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤a中，RGO/M‑TiO2复合功能层的制备方法为：将浓度为1mg/mL的Ti3C2Tx的水分散液在室温下静置3个月以上，使之缓慢氧化降解为M‑TiO2，再将其与相同浓度的还原氧化石墨烯RGO水分散液混合，使用匀胶机转速1000～

5000r/min旋涂于所述ITO导电玻璃上，干燥后形成RGO/M‑TiO2复合功能层。

3.根据权利要求1所述的还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，生长氧化锌纳米棒的方法为：将乙醇胺加入0.75mol/L的醋酸锌乙二醇甲醚溶液中配制氧化锌晶种层前驱体溶液，乙醇胺的加入量为每升醋酸锌乙二醇甲醚溶液0.75mol，然后旋涂至覆有RGO/M‑TiO2复合功能层的ITO导电玻璃基底上，90℃下烘干，再置于管式炉中在300℃、氮气保护下退火

30min后，置于0.1mol/L的硝酸锌与4vol.％氨水混合溶液中，经水热反应90℃，2h生长氧化锌纳米棒。

4.根据权利要求1所述的还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，制备三电极体系的还原型谷胱甘肽光电化学传感器的方法为：将长有氧化锌纳米棒的基底作为工作电极，铂丝作对电极，Ag/AgCl作为参比电极，组成三电极体系的还原型谷胱甘肽光电化学传感器。

5.根据权利要求1至4任一所述的还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述ITO导电玻璃大小为1cm×1cm。