1.一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：其包括供电电压产生电路、基准电压产生电路，所述供电电压电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压，该电压作为基准电压产生电路的供电电压，用于改善整体电路的电压线性度；所述的基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压，实现温度补偿，该电路通过利用MOS的泄漏电流，降低电路的静态电流，使得电路的功耗降低到皮瓦级；所述基准电压产生电路通过利用两个NMOS管来实现温度补偿，抵消因工艺引起的相关温度误差，得到一个与温度无关的基准电压，拓宽电路的工作温度范围。

2.根据权利要求1所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述供电电压产生电路的M1管的栅极接地，漏极接电源电压，源极接M2的栅极和漏极，所述而M2的栅极与漏极连接在一起，所述源极接地。

3.根据权利要求1所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述同时M3的栅极接M2的栅极与漏极，所述漏极接电源电压，源极接M4的漏极，所述在M4的漏极得到了一个与电源电压弱相关的供电电压，所述该电压作为基准电压产生电路的供电电压，所述从而大大改善了电路的电压线性度。

4.根据权利要求2所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述M4的漏极与M3的源极连接在一起，所述栅极连接到地，所述源极连接到了M5的栅极与漏极。

5.根据权利要求2所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述同时M5的栅极与漏极连接在一起，所述源极接地。

6.根据权利要求2所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述该电路利用了NMOS管的阈值电压差的温度特性与热电势的温度特性实现了温度补偿，所述从而得到一个基准电压。

7.根据权利要求2所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述仅使用5个NMOS管，没有使用到PMOS管，从而最大程度抵消工艺问题而带来的温度误差，使得电路的温度范围达到‑40℃～150℃。

8.根据权利要求2所述的皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其特征在于：所述同时电路利用MOS管的泄漏电流，所述电路的静态电流大大降低，所述电路的功耗降至皮瓦级，所述使得该适用于复杂条件下的超低功耗的应用场景。