1.基于Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构，其特征在于，两种折射率不同的均匀电介质薄片A和B以Octonacci序列规则排列，形成Octonacci光子晶体，单层石墨烯G镶嵌在Octonacci光子晶体中相邻两电介质薄片的分界面上，形成Octonacci光子晶体与石墨烯的复合结构；

TM光从左边斜入射进所述复合结构，入射角用θ表示；符号Ii表示入射光，Ir表示反射光，Io表示透射光；所述Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构支持两个或两个以上的光学分形共振态；石墨烯增强所述光学分形态的反射率；

在所述光学分形态附近，随着归一化频率的变化，反射系数相位剧烈地波动，从而引起反射光束相对于几何光学预测位置的一个大的横向位移，即空间古斯‑汉森位移；所述空间古斯‑汉森位移是入射波长的函数，即：Δ=−dφr/dky，其中ky=cosθλ/2π，所述φr为反射系数相位，λ为波长。

2.如权利要求1所述的Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构，其特征在于，所述A的材料为二氧化硅，折射率为na=3.53；所述B的材料为硅，折射率为nb=1.46。

3.如权利要求1所述的Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构，其特征在于，所述A和B电介质薄片厚度均为1/4光学波长，即A厚度为da=λ0/4/na=0.1098μm，其中λ0=1.55μm为中心波长，B的厚度为db=λ0/4/nb=0.2654μm。

4.如权利要求1所述的Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构，其特征在于，所述TM光的入射角θ取值范围为0°<θ<90°。

5.包括如权利要求1‑4任意一生中基于Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构中空间古斯‑汉森位移的传感器。