1.一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：包括腔室(1)，该腔室(1)由腔室底板(11)、腔室前盖板(12)、腔室后盖板(13)和反应区盖板(2)粘接后形成，该反应区盖板(2)设在所述腔室前盖板(12)和腔室后盖板(13)之间，所述反应区盖板(2)的设置可以方便将衬底模板(3)放置在所述腔室(1)内的高温反应区，所述腔室底板(11)、腔室前盖板(12)、腔室后盖板(13)和反应区盖板(2)均采用石英材质制成，在对应所述腔室(1)的高温反应区的下方位置设有若干热电偶，所述腔室(1)的进口端与缓冲腔(5)连通，且在靠近其进口端的位置还设有水冷装置(4)，所述腔室(1)的出口端为尾气排放口。

2.根据权利要求1所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：在所述腔室底板(11)上位于其两侧的位置分别设有异形侧边条(7)，所述异形侧边条(7)朝向所述腔室底板(11)的一侧分布有V型槽(71)，该V型槽(71)内填充有高温胶，实现与所述腔室底板(11)粘接，所述异形侧边条(7)的另一侧与对应位置的所述腔室前盖板(12)、腔室后盖板(13)和反应区盖板(2)粘接。

3.根据权利要求2所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：在所述异形侧边条(7)上对应高温反应区的位置嵌设有第一侧边填充块(8)。

4.根据权利要求2所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：在所述异形侧边条(7)上对应尾气输运区的位置嵌设有第二侧边填充块(9)，该第二侧边填充块(9)呈梯形结构，方便将冷凝为液滴的前驱体液体气溶胶引流至腔室(1)的中部，减少对所述异形侧边条(7)与腔室底板(11)交界处的腐蚀。

5.根据权利要求1所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：所述反应区盖板(2)包括反应区上盖板(21)和粘接在该反应区上盖板(21)下方的流场调制斜劈(23)，该流场调制斜劈(23)的劈尖(24)朝向所述腔室(1)的进口端，所述反应区上盖板(21)的长度大于所述流场调制斜劈(23)的长度，所述反应区上盖板(21)的两端分别与对应端的腔室前盖板(12)和腔室后盖板(13)粘接。

6.根据权利要求5所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：在所述反应区上盖板(21)上与所述腔室前盖板(12)和腔室后盖板(13)粘接的位置分布有气密沟槽(22)，该气密沟槽(22)内填充有高温胶，提高结合处气密性。

7.根据权利要求6所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：所述流场调制斜劈(23)的底面与所述衬底模板(3)上表面之间的距离为0.8‑1.5mm。

8.根据权利要求1所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：所述热电偶通过热电偶测温端固定片(62)和热电偶线束固定片(61)固定在所述腔室底板(11)下方。

9.根据权利要求8所述的一种雾化辅助CVD反应腔体，其特征在于：所述腔室底板(11)的下端面设有向内凹陷的凹槽，所述热电偶测温端固定片(62)和热电偶线束固定片(61)嵌设在该凹槽内。