1.一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，包括设置在待隐身物体表面的W行×V列可重构超表面隐身单元，相邻的所述可重构超表面隐身单元之间无缝固定拼接，其特征在于，所述可重构超表面隐身单元包括：由下到上依次层叠设置的金属基底层、电介质层和金属纳米天线对；

其中，所述电介质层包括由下到上依次层叠设置的Ge2Sb2Se4Te1薄膜和ZnS:SiO2薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，所述金属纳米天线对包括第一金矩形纳米天线和第二金矩形纳米天线，所述第一金矩形纳米天线和所述第二金矩形纳米天线的尺寸不同。

3.根据权利要求2所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，每一列所述可重构超表面隐身单元中的所述金属纳米天线对的尺寸相同，且每一行所述可重构超表面隐身单元中的所述金属纳米天线对的尺寸是根据所述金属纳米天线对提供的反射相位补偿量确定的。

4.根据权利要求2所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，各所述可重构超表面隐身单元根据预设的方位角设置在所述待隐身物体的表面。

5.根据权利要求4所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，所述预设的方位角根据所述金属纳米天线对的排布方向确定；所述预设的方位角包括0°和/或

90°。

6.根据权利要求5所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，预设比例的所述可重构超表面隐身单元的方位角为0°，其他所述可重构超表面隐身单元的方位角为90°。

7.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，通过调控所述Ge2Sb2Se4Te1薄膜的相态，以得到不同的隐身性能；其中，所述Ge2Sb2Se4Te1薄膜的相态包括非晶态、结晶态和多种不同的中间态。

8.根据权利要求7所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，所述Ge2Sb2Se4Te1薄膜的非晶态、结晶态和多种不同的中间态是在预设刺激的作用下进行可逆转换的。

9.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，入射到所述隐身斗篷的入射电磁波的入射角的取值范围为‑25°‑25°。

10.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，其特征在于，入射到所述隐身斗篷的入射电磁波的波长的取值范围为7550nm‑8350nm。