1.一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.将粗品Al‑18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态，并进行保温处理；

S2.将S1处理制得的Al‑18Si过共晶铝硅合金在室温下冷却至液相线温度以下，并再次进行保温处理；

S3.将S2处理制得的Al‑18Si过共晶铝硅合金浇筑至铸型内，在室温下冷却凝固得到成品Al‑18Si过共晶铝硅合金；

步骤S2中的保温温度为635‑645℃；

保温时长在10分钟。

2.根据权利要求1所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法，其特征在于：所述步骤S1中的保温温度为780℃，保温时长在10min。

3.根据权利要求1、2任一所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法，其特征在于：所述步骤S1中Al‑18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态后，刮除其表面浮渣，然后对熔体进行精炼，精炼完成后在熔体表面抛撒覆盖剂。

4.根据权利要求3所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法，其特征在于：精炼过程采用六氯乙烷作为脱气剂。

5.根据权利要求4所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法，其特征在于：所述覆盖剂由NaCl和KCl组成。

6.一种过共晶铝硅合金，其特征在于：所述过共晶铝硅合金由权利要求1‑5任一所述的方法制得。