1.宽频率范围的多层多材质屏蔽体的设计方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤1，确定需要屏蔽的频段和在该频段的屏蔽效能曲线；

步骤2，划分各屏蔽层的屏蔽频段；

步骤3，根据步骤2划分的屏蔽频段确定各屏蔽层的材料；

步骤4，确定每个屏蔽层的厚度；

步骤5，确定各屏蔽层之间的距离。

2.根据权利要求1所述的宽频率范围的多层多材质屏蔽体的设计方法，其特征在于：所述步骤1的具体过程为：明确需要屏蔽的频段fL～fH和该频段的屏蔽效能曲线SE，fL为屏蔽频段的最低频率，fH为屏蔽频段的最高频率。

3.根据权利要求2所述的宽频率范围的多层多材质屏蔽体的设计方法，其特征在于：所述步骤2的具体过程为：

将需要屏蔽的频段均分为4段，表示为fL～f1、f1～f2、f2～f3、f3～fH，对应四个屏蔽层分别需要抑制的频段，f1、f2、f3可由下式给出：通过步骤1中确定的屏蔽效能曲线SE确定频段fL～f1需要的屏蔽效能的最大值，记为SE1；通过步骤1中确定的屏蔽效能曲线SE确定频段f1～f2需要的屏蔽效能的最大值，记为SE2；通过步骤1中确定的屏蔽效能曲线SE确定频段f2～f3需要的屏蔽效能的最大值，记为SE3；通过步骤1中确定的屏蔽效能曲线SE确定频段f3～fH需要的屏蔽效能的最大值，记为SE4。

4.根据权利要求3所述的宽频率范围的多层多材质屏蔽体的设计方法，其特征在于：所述步骤3的具体过程为：

步骤3.1，根据屏蔽频段选取屏蔽材料，具体为：屏蔽体的屏蔽效能SE包括反射损耗R、吸收能耗A及多次反射能耗B，具体公式如下：其中，f为需要屏蔽频率，μ为屏蔽材料的磁导率，σ为屏蔽材料的电导率，t为屏蔽体的厚度；

在1MHz以下的屏蔽频段，屏蔽材料的屏蔽效能主要由反射损耗R决定，需要选取磁导率低、电导率高的金属材料作为该抑制频段的屏蔽材料，该屏蔽材料的 应达到‑14的数量级；

在1MHz～30MHz的屏蔽频段，屏蔽材料的屏蔽效能通过反射损耗R或吸收损耗A决定，规定先通过反射损耗定义选取原则，选取 达到‑13～‑12数量级的金属材料作为屏蔽材料；

当选取的材料的 达不到‑13～‑12数量级时，则通过吸收损耗定义选取原则，选取μσ达到+

1数量级的金属材料作为屏蔽材料；

在30MHz～1GHz的屏蔽频段，屏蔽材料的屏蔽效能可以通过吸收损耗A或反射损耗R决定，规定先通过吸收损耗定义选取原则，选取μσ达到+3～+4数量级的金属材料作为屏蔽材料；当选取的材料μσ达不到+3～+4数量级时，按照反射损耗定义选取原则，选取 达到‑11数量级的金属材料作为屏蔽材料；

在1GHz以上的屏蔽频段，屏蔽材料的屏蔽效能主要由吸收损耗A决定，需要选取磁导率高、电导率高的金属材料作为该抑制频段的屏蔽材料，该屏蔽材料的μσ应达到+4及以上的数量级；

步骤3.2，设计屏蔽体屏蔽层的材料，具体为：首先判断步骤2中划分的4个频段属于步骤3.1中划分的4个频段的哪个频段，接着根据步骤3.1设计的屏蔽材料选取方法设计4个屏蔽层的屏蔽材料；如果步骤2中划分的4个频段横跨了步骤3.1中划分的4个频段中的两个或多个频段，则选取占比最大的频段对应的材料作为该屏蔽层的材料，如果占比相同，规定根据数值大的频段选取屏蔽材料；

如需要抑制的频段为20MHz～2.02GHz，则根据步骤2可划分为4个频段：20MHz～

520MHz、520MHz～1.02GHz、1.02GHz～1.52GHz、1.52GHz～2.02GHz，分别对应屏蔽层I、屏蔽层II、屏蔽层III、屏蔽层IV。

5.根据权利要求4所述的宽频率范围的多层多材质屏蔽体的设计方法，其特征在于：所述步骤4的具体过程为：

根据反射损耗决定设计屏蔽材料的情况，屏蔽材料的屏蔽效能与屏蔽体的厚度无关，因此，在该情况下基于屏蔽层支撑强度的要求设计各屏蔽层的厚度为0.5mm；

根据吸收损耗决定设计屏蔽材料的情况，屏蔽材料的屏蔽效能与屏蔽体的厚度相关，因此，在该情况下各层屏蔽层的厚度ti由如下公式推导获得：其中，i取1、2、3、4，SEi为步骤2中确定的该屏蔽层对应屏蔽频段的最大的屏蔽效能，fm为该屏蔽层对应的屏蔽频段的最小频率，μ为该屏蔽层材料的磁导率，σ为该屏蔽层材料的电导率。

6.根据权利要求5所述的宽频率范围的多层多材质屏蔽体的设计方法，其特征在于：所述步骤5的具体过程为：

在500MHz以下的屏蔽频段，屏蔽层之间的间距ri通过以下公式计算获得：在500MHz～1GHz的屏蔽频段，屏蔽层之间的间距不影响屏蔽效能；因此，在500MHz～

1GHz的屏蔽频段，屏蔽层之间的距离为定值；

在1GHz以上的屏蔽频段，屏蔽层之间的间距r1i通过以下公式计算获得：