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专利号: 2022100174169
申请人: 五邑大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2026-01-27
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种三硫化四钴纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.将碳布置于包括钴盐、铵盐与脲的混合溶液中进行第一次水热反应,在碳布上生长四氧化三钴,得到前驱体;

S2.将所述前驱体与二价硫离子溶液混合,进行第二次水热反应,得到三硫化四钴纳米材料;

步骤S2中,所述第二次水热反应的温度为120~150℃;

所述二价硫离子溶液的浓度为1~5 mol/L;

所述第二次水热反应的时间为1~10 h。

2.根据权利要求1所述三硫化四钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中,钴盐、铵盐与脲的摩尔比为1:(1~5):(1~10)。

3.根据权利要求1所述三硫化四钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述第一次水热反应的温度为100~150℃。

4.根据权利要求1所述三硫化四钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述第一次水热反应的时间为3~6 h。

5.根据权利要求1所述三硫化四钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述钴盐包括硝酸钴、氯化钴或硫酸钴中的至少一种。

6.根据权利要求1所述三硫化四钴纳米材料的制备方法,其特征在于,所述铵盐包括氟化铵、氯化铵或硝酸铵中的至少一种。

7.一种三硫化四钴纳米材料,其特征在于,采用权利要求1~6任一项所述的制备方法制备得到,所述三硫化四钴纳米材料的直径为150 ~400 nm,长度为2~5μm。

8.根据权利要求7所述的三硫化四钴纳米材料或者由权利要求1~6任一项所述的制备方法制备得到的三硫化四钴纳米材料在非对称超级电容器或智能穿戴领域中的应用。