1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上设置的外延层，所述外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在所述外延层上设置有多个凸台结构，每个所述凸台结构包括隔离凸台和环设于所述隔离凸台周侧的牺牲层，所述隔离凸台用于定义相邻两个所述沟槽的隔断区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸台结构为第一柱状结构，所述第一柱状结构沿平行所述衬底方向的截面为椭圆形。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离凸台为第二柱状结构，所述第二柱状结构沿平行所述衬底方向的截面为长方形。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述长方形与所述椭圆形内接。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个所述凸台结构在所述外延层上阵列设置。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述阵列为矩形阵列。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，相邻两排所述凸台结构交错设置。

8.如权利要求1至7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层为介电层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述凸台结构为介电结构。