1.一种硅片支撑装置，其特征在于，包括相对设置的两个支撑导轨和设置在两个所述支撑导轨之间的升降导轨，两个所述支撑导轨的支撑面相对设置，所述支撑面上设有支撑槽，所述支撑槽的槽底呈弧形，所述支撑槽的槽底包裹硅片的边缘以对所述硅片进行支撑，所述升降导轨驱动所述硅片升降或在所述硅片承载于所述支撑槽内的状态下与所述硅片分离。

2.根据权利要求1所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述支撑槽为多个，多个所述支撑槽沿所述支撑导轨的延伸方向平行设置。

3.根据权利要求2所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降导轨的延伸方向与所述支撑导轨的延伸方向相同且所述升降导轨的长度大于或等于所述支撑导轨的长度。

4.根据权利要求2所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降导轨朝向所述支撑导轨的表面设有升降槽，所述升降槽与所述支撑槽对应设置。

5.根据权利要求4所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降槽的槽底呈V形，所述升降槽的槽底的两个斜面同时与所述硅片的边缘相切。

6.根据权利要求5所述的硅片支撑装置，其特征在于，两个所述斜面之间的夹角为90°～120°。

7.根据权利要求4所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降槽的槽底呈圆弧形，所述升降槽的槽底包裹所述硅片的边缘。

8.根据权利要求7所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述升降槽的槽底的直径等于所述硅片的直径。

9.根据权利要求1所述的硅片支撑装置，其特征在于，所述支撑槽的宽度与所述硅片的厚度相同。

10.一种化学槽，其特征在于，包括槽体和设置在所述槽体内部的如权利要求1至9中任意一项所述的硅片支撑装置，所述硅片支撑装置的两个支撑导轨分别与所述槽体的两个侧壁连接。