1.一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅基材料进行清洗处理；

将所述清洗处理后的硅基材料采用湿法刻蚀方法进行刻蚀处理；

将所述刻蚀处理后的硅基材料先进行预热处理，所述预热处理的温度为900~1300℃，之后在高温状态下施加直流电场进行晶格缺陷的修正。

2.根据权利要求1所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述预热处理的时间为20~30min。

3.根据权利要求1所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述直流电场的电流大小为0~100A，所述直流电场的施加时间为20~30min。

4. 根据权利要求1所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述刻蚀处理为各向同性刻蚀，刻蚀剂为HNO3、HF 和水的混合溶液。

5. 根据权利要求4所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述刻蚀剂中HNO3、HF 和水的质量比为（4~9）：（1~3）：（1~3）。

6.根据权利要求4所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述刻蚀剂中还添加有CH3COOH溶液。

7. 根据权利要求6所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述刻蚀剂中HNO3、HF 、CH3COOH和水的质量比为（4~9）：（1~3）：（0.1~0.5）：（1~3）。

8.根据权利要求1所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述清洗处理包括以下步骤：先将硅基材料置于碳氢清洗剂中进行浸泡清洗；

再将硅基材料用去离子水冲洗清洗；

之后再将硅基材料置于无水乙醇中进行浸泡清洗；

最后再将硅基材料置于酸性溶液中进行浸泡清洗。

9.根据权利要求8所述的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，所述酸性溶液为HF溶液。