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专利号: 2021116136764
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2025-05-20
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,包括:

-谐振腔主体,所述谐振腔主体由上到下依次包括圆顶盖、抛腔及中圆柱体;所述抛腔与所述中圆柱体相连,所述抛腔设置为由一段抛物线绕所述谐振腔主体的中轴线旋转一周得到的旋转体,所述抛腔的抛物线方程为y=0.006x-下圆柱体,所述下圆柱体包括下圆柱体外壁、下圆柱体内壁及环形天线;

-同轴波导转换器,所述同轴波导转换器包括同轴线,所述同轴线包括同轴外导体和同轴内导体;

-沉积平台,所述沉积平台设置于所述谐振腔主体的底部,在所述沉积平台的中心设有基片;

-环形石英窗口,所述环形石英窗口设置于所述环形天线的内部;

所述同轴波导转换器设置于所述沉积平台的下方。

2.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述谐振腔主体的内壁上任意一点距所述基片中心点的距离大于6/7λ,其中λ为导入微波的波长。

3.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述同轴线的外径与内径比例为2.3,所述同轴线的外径与内径分别为46mm和20mm。

4.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述基片包括圆形硅片,在沉积过程中产生的等离子体位于所述基片上方。

5.根据权利要求1所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,所述环形石英窗口包括一个厚度为6mm的石英环,所述石英环隐蔽于所述谐振腔主体的下方。

6.根据权利要求1-5任一项所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,还包括进气口和出气口;所述进气口设置于所述圆顶盖的中心,所述出气口均匀设置于所述中圆柱体的侧壁四周。

7.根据权利要求6所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,还包括测温孔及测温仪,所述测温孔设置于所述抛腔的壁上,所述测温仪通过所述测温孔与所述抛腔连接。

8.根据权利要求7所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,还包括观察窗,所述观察窗设置于所述中圆柱体的侧壁上。

9.根据权利要求8所述的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置,其特征在于,还包括水冷系统;所述水冷系统包括设置于谐振腔主体、沉积平台、下圆柱体、同轴外导体和同轴内导体内部的冷却水路。