1.一种扩大测量区间的真空度测量装置的制备方法，其特征是，采用MEMS工艺制备皮拉尼计单元以及微压传感单元，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、提供衬底（1），并在所提供衬底（1）的正面制备所需的微压传感单元；

步骤2、在衬底（1）的背面制备与所述微压传感单元适配的微压传感背腔，在微压传感背腔内设置与微压传感单元适配的微压检测块（20），并在衬底（1）上方制备所需的皮拉尼计单元，或者，在衬底（1）先制备皮拉尼计单元，然后在衬底（1）的背面制备与所述微压传感单元适配的微压传感背腔，在微压传感背腔内设置与微压传感单元适配的微压检测块（20）；

制备微压传感单元包括如下步骤：

步骤1.1、提供衬底（1），并在所述衬底（1）的正面制备压阻连接区；

步骤1.2、在上述衬底（1）的正面制备支撑保护介质层（9），所述支撑保护介质层（9）覆盖衬底（1）的正面；

步骤1.3、选择性地掩蔽和刻蚀所述支撑保护介质层（9），以得到贯通支撑保护介质层（9）的支撑保护介质层窗口（19），通过所述支撑保护介质层窗口（19）使得衬底（1）内压阻连接区露出；

步骤1.4、制备得到微压传感电极（8），所述微压传感电极（8）位于支撑保护介质层（9）上，且微压传感电极（8）穿过支撑保护介质层（9）后与衬底（1）内相应的压阻连接区适配电连接；

步骤2中，在衬底（1）上方制备皮拉尼计单元时，具体包括如下步骤：

步骤2.1、对衬底（1）的背面进行所需的刻蚀，以形成与微压传感单元正对应的微压传感背腔以及制备于所述微压传感背腔内的微压检测块（20）；

步骤2.2、提供转接基座（15），所述转接基座（15）的正面凹设有基座槽（16）；

步骤2.3、在上述转接基座（15）制备用于形成皮拉尼计单元的转接导电体（17），所述转接导电体（17）覆盖在转接基座（15）的正面，且转接导电体（17）覆盖基座槽（16）的侧壁与底壁；

步骤2.4、选择性地掩蔽和刻蚀所述转接导电体（17），以得到若干贯通转接导电体（17）且基座槽（16）的槽底相对应的盖板孔（10）；利用基座槽（16）相对应的转接导电体（17）形成盖板体（5），利用覆盖转接基座（15）正面的转接导电体（17）形成键合支撑基座（4）；

步骤2.5、将键合支撑基座（4）键合固定于支撑保护介质层（9）上，且键合支撑基座（4）位于微压传感电极（8）的外圈，盖板体（5）位于支撑保护介质层（9）以及微压传感电极（8）的外侧；

步骤2.6、将转接基座（15）与键合支撑基座（4）以及盖板体（5）分离，以在衬底（1）上制备得到所需的皮拉尼计单元；

步骤2中，所述皮拉尼计单元包括皮拉尼计主体部（11），所述皮拉尼计主体部（11）支撑于支撑保护介质层（9）上且位于微压传感电极（8）之间；

在制备得到皮拉尼计主体部（11）后，在衬底（1）的背面制备与所述微压传感单元适配的微压传感背腔，在微压传感背腔内设置与微压传感单元适配的微压检测块（20）。