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专利号: 2021115456553
申请人: 长春理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于增益剪裁调控的多波长中红外光参量振荡器,其特征在于,所述振荡器包括:第一腔镜、声光Q开关、Nd:YVO4晶体、第二腔镜、耦合镜组、泵浦模块、第三腔镜、第四腔镜、MgO:APLN晶体、第一反射镜、第二反射镜、第五腔镜和输出镜,其中:所述泵浦模块、耦合镜组、第二腔镜、Nd:YVO4晶体和第三腔镜在水平方向上由左至右依次排列;

所述声光Q开关和第一腔镜依次放置于所述第二腔镜的正下方且垂直于所述水平方向;

所述MgO:APLN晶体水平放置于所述第三腔镜的斜下方;

所述第二反射镜和第五腔镜放置于所述MgO:APLN晶体上方的水平方向上,所述第一反射镜和输出镜依次放置于所述MgO:APLN晶体下方的水平方向上;

所述第二反射镜和第五腔镜放置于所述第四腔镜的右侧;

所述第四腔镜处于所述第三腔镜与MgO:APLN晶体之间,所述第五腔镜处于所述第二反射镜上方;

所述输出镜沿水平方向放置,所述第二腔镜和第三腔镜朝所述Nd:YVO4晶体倾斜放置,所述第四腔镜放置于所述MgO:APLN晶体上方且相对于水平方向倾斜放置,以使所述第一腔镜、第二腔镜、第三腔镜、第四腔镜和输出镜组成基频光谐振腔;

所述第一反射镜和第二反射镜沿水平方向放置,以使所述第四腔镜、第一反射镜、第二反射镜和输出镜组成多光参量振荡谐振腔;所述第一反射镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;所述第二反射镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.61μm高反膜、1.70μm高透膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;所述第四腔镜镀

813nm高透膜、1084nm高透膜、1.48μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm高反膜;所述第五腔镜镀1.70μm高反膜;所述输出镜镀813nm高反膜、1084nm高反膜、1.48μm‑1.70μm高反膜和3.0μm‑4.0μm增透膜。

2.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中,所述MgO:APLN晶体的非周期极化方向沿竖直方向设置。

3.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中,所述第二腔镜朝所述Nd:YVO4晶体呈45°倾斜放置。

4.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中,泵浦模块的输出波长为813nm。

5.如权利要求1所述的光参量振荡器,其中:

所述第一腔镜镀813nm高反膜和1084nm高反膜;

所述第二腔镜镀813nm高透膜和1084nm45°全反膜;

所述第三腔镜镀813nm高反膜和1084nm高反膜。