1.一种Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)依次用无水乙醇和去离子水超声清洗衬底，并用高纯氮气吹干，备用；

(2)将银纳米线AgNW与无水乙醇混合均匀制成混合溶液；

(3)将步骤(1)处理好的衬底吸附在匀胶机上，在衬底表面均匀旋涂步骤(2)制备的AgNW与无水乙醇的混合溶液；

(4)将步骤(3)旋涂好银纳米线的衬底放置在烘箱中烘干；

(5)将步骤(4)烘干后的衬底固定到磁控溅射样品台上，衬底涂有银纳米线的一面朝向磁控溅射系统的真空腔体；

(6)将Nb2O5靶材装入真空腔体内，靶材与衬底的距离控制在40～90mm；

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(7)将磁控溅射系统的本底真空度抽至2.0×10 ～1.0×10 Pa，通入50sccm的氩气，压强调节为0.3～5Pa，溅射功率为20～100W，通过沉积在衬底的银纳米线表面得到Nb2O5薄膜；

(8)待步骤(7)沉积完成后，将步骤(7)中获得的薄膜取出，即得到Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)的衬底选用PET、PC、PEN、CPI柔性透明衬底中的一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)混合溶液中银纳米线的浓度为1～2mg/ml。

4.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于步骤(3)匀胶机参数设置为500～

2000rpm，时间为5～60s。

5.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于步骤(4)中烘箱的温度为50～80℃。

6.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于步骤(7)中银纳米线表面得到厚度为20～100nm的Nb2O5薄膜。

7.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于步骤(7)中银纳米线表面得到厚度为50～100nm的Nb2O5薄膜。

8.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于步骤(7)中氩气的纯度在99.99％以上。

9.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于步骤(6)Nb2O5靶材中Nb2O5的纯度为

99.99％。

10.如权利要求1‑3任一所述的制备方法，其特征在于所制备的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜在波长为550nm时，光学透过率在88％以上，方块电阻为低于13Ω/sq。