1.一种ZVO/ZnO异质结光催化剂，其特征在于，以V和ZnO作为靶材，通过磁控溅射得到的ZVO薄膜层和ZVO薄膜层上方的ZnO薄膜层，所述ZVO/ZnO异质结光催化剂的制备方法如下：

以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，在惰性气体保护下，两个靶材同时进行磁控溅射，得到中间体，将中间体放入马沸炉中退火，得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，控制基底自转，在惰性气体保护下，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，而后将产物放入马沸炉中退火，得到ZVO/ZnO异质结光催化剂，在溅射制备ZVO薄膜层时，ZnO靶的溅射电流为

0.05～0.15A，V靶的溅射功率为200W，溅射时间90～150min；在溅射制备ZnO薄膜层时，ZnO靶的溅射功率为100W，溅射时间30～90min，所述马沸炉的退火温度为500～600℃，退火时间为100～150min；

ZnO靶采用射频溅射源，V靶采用直流溅射源。

2.一种ZVO/ZnO异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，在惰性气体保护下，两个靶材同时进行磁控溅射，得到中间体，将中间体放入马沸炉中退火，得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，控制基底自转，在惰性气体保护下，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，而后将产物放入马沸炉中退火，得到ZVO/ZnO异质结光催化剂；

在溅射制备ZVO薄膜层时，ZnO靶的溅射电流为0.05～0.15A，V靶的溅射功率为200W，溅射时间90～150min；在溅射制备ZnO薄膜层时，ZnO靶的溅射功率为100W，溅射时间30～

90min；

所述马沸炉的退火温度为500～600℃，退火时间为100～150min。

3.根据权利要求2所述的一种ZVO/ZnO异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，以FTO导电玻璃作为基底。

4.根据权利要求3所述的一种ZVO/ZnO异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，在进行磁控溅射前，先依次采用丙酮溶液、无水乙醇、去离子水对FTO基底进行超声清洗。

5.根据权利要求2所述的一种ZVO/ZnO异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，在进‑4行磁控溅射前，先对溅射舱进行抽真空处理，在真空度降至5×10 Pa时，向溅射舱内通入溅射气体氩气。