1.一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述方法具体包括：（1）配料及捏合成泥，挤出成型，烘干制备干素坯：将碳化硅粉体、硅粉、碳粉、NaCl‑KCl熔盐、高岭土、羧甲基纤维素和甘油按照配方称量配料，加水搅拌混料，然后捏合成泥，捏合后的泥料挤出成型，控制成型温度，获得湿碳化硅支撑体素坯，将湿碳化硅支撑体素坯在烘箱内烘干，获得碳化硅素坯；

所述（1）中，先将硅粉与碳黑以1：（1 3）的摩尔比进行配料混合获得硅碳复合粉体；然~后将碳化硅粉体、硅碳复合粉体、NaCl‑KCl熔盐、高岭土、羧甲基纤维素和甘油按照质量份数为70～80：6～15：2～5：5～10：1～4：0.2～0.5；

（2）将上述烘干之后的碳化硅素坯置于高温炉中并抽真空加热；

（3）将碳化硅素坯放入烧结炉，高温烧结获得多孔碳化硅，浸水除盐，获得多孔碳化硅支撑体；

（4）将碳化硅纳米纤维和聚乙烯醇PVA按照一定浓度混合配置获得碳化硅纳米纤维水浆料，将碳化硅纳米纤维水浆料涂在多孔碳化硅支撑体上，然后将涂浆料后的多孔碳化硅支撑体在烘箱内烘干；

所述（4）中，按照碳化硅纳米纤维按照质量百分比为0.5wt％～5wt％、聚乙烯醇

0.2wt％～0.5wt％浓度配置的碳化硅纳米纤维水浆料；

（5）将覆膜了碳化硅纳米纤维的碳化硅支撑体在高温炉中烧结，获得碳化硅陶瓷膜。

2.根据权利要求1所述的一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述（1）中，加水搅拌混料具体过程是：原料在混料机中先干混10 30min，然后加水湿混40~ ~

60min，再进行练泥，并置于常温下陈腐24h。

3.根据权利要求1所述的一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述（1）中，在烘箱内烘干，是按照以下特定阶梯控温方式进行处理：将泥坯置于常温下晾干12 24h，然后转移到烘箱内，从常温开始升温到50℃，升温速率~为1 5℃/min，保温3 5h；

~ ~

从50℃开始升温到80℃，升温速率为1 5℃/min，保温3 5h；

~ ~

从80℃开始升温到120℃，升温速率为1 5℃/min，保温5 10h。

~ ~

4.根据权利要求1所述的一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述（2）具体为：将上述烘干之后的碳化硅素坯置于管式炉中并抽真空，然后从常温以3 5℃/~min的升温速率升到800℃处理。

5.根据权利要求1所述的一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述（3）中，高温烧结具体是按照以下特定阶梯升温方式进行处理：从常温升温到200℃，升温速率为5 10℃/min，保温1 3h；

~ ~

从200℃升温到900℃，升温速率为5 10℃/min，保温1 3h；

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从900℃升温到1350 1600℃，升温速率为1 5℃/min；

~ ~

在1350 1600℃温度下，保温1 5h；

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然后随炉冷却。

6.根据权利要求1所述的一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述（3）中，浸水除盐是将多孔碳化硅置于水中浸泡30 60min，然后换水，如此重复3 5次。

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7.根据权利要求1所述的一种低温反应烧结碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于：所述（5）中，高温炉中以900‑1600 ℃烧结0.5‑2小时获得碳化硅陶瓷膜。