1.一种Ti掺杂单层二硫化钼单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备一两端敞口的石英管，所述石英管的两端分别为原料端和基底端，在所述石英管的基底端内放置一基底，在所述石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对所述石英管‑6 ‑3

抽真空，密封所述石英管，以使该石英管的管内压强为10 ～10 Pa，其中，所述原材料为

1.5～2.5质量份数的MoO3、0.36～0.42质量份数的S粉和0.2～1.0质量份数的TiO2，所述输运剂为单质碘；

2)对所述石英管的原料端和基底端同时加热0.5～1h，冷却至室温20～25℃，在基底上得到Ti掺杂单层二硫化钼单晶，其中，所述原料端的加热温度为750～900℃，所述基底端的加热温度为400～700℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述基底为云母或石墨。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述石英管的长度为15～40cm，内径为10‑20mm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，按质量份数计，所述原材料和输运剂的比为(2～6)：(3‑8)。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，加热至750～900℃的升温速率为25～50℃/min，加热至400～700℃的升温速率为25～50℃/min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述原料端和基底端之间温度的梯度为3～30℃/cm。

7.如权利要求1～6中任意一项所述制备方法获得的Ti掺杂单层二硫化钼单晶。

8.如权利要求1～6中任意一项所述制备方法在同时实现单层二硫化钼光致发光增强和单层二硫化钼单晶制备中的应用。