1.一种铜铟镓硫微纳二级阵列，其特征在于，由在衬底上生长的规则排列的微米级半导体球冠、和球冠表面的半导体纳米片构成。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硫微纳二级阵列，其特征在于，所述半导体为具有单晶结构的铜铟镓硫。

3.根据权利要求1所述的铜铟镓硫微纳二级阵列，其特征在于：所述微纳二级阵列中，球冠的直径为0.5‑100μm，纳米片的厚度为0.1nm‑1μm。

4.一种权利要求1至3任一所述铜铟镓硫微纳二级阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将洁净的衬底放入反应釜底部，加入第一前驱液；反应釜密封后，在80‑300℃下加热

2h‑50h，清洗、干燥后，衬底表面生长有球冠状起伏结构的硫化亚铜薄膜；

2）将生长有硫化亚铜薄膜的衬底取出，放入另一反应釜底部，加入第二前驱液；反应釜密封后，在80℃‑200℃下加热2h‑50h，清洗、干燥后，得到铜铟镓硫微纳二级阵列。

5.根据权利要求4所述铜铟镓硫微纳二级阵列的制备方法，其特征在于，第一前驱液或第二前驱液的体积与反应釜容积的比例为3‑2:5。

6.根据权利要求4所述铜铟镓硫微纳二级阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）所述第一前驱液由硫代乙酰胺溶于乙二醇中制成，硫代乙酰胺浓度为0.01‑1mol/L。

7.根据权利要求4所述铜铟镓硫微纳二级阵列的制备方法，其特征在于，步骤2）所述第二前驱液由质量比为0.6‑1:7:6的硫代乙酰胺、氯化铟和氯化镓溶于乙二醇中制成。

8.根据权利要求4所述铜铟镓硫微纳二级阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）所述衬底为铜片，或表面沉积有铜膜的陶瓷、云母、高分子塑料、金属、硅片、玻璃、不锈钢片；铜膜的厚度为50nm‑50μm。

9.根据权利要求8所述铜铟镓硫微纳二级阵列的制备方法，其特征在于，沉积方法包括物理气相沉积法或电化学沉积法；所述物理气相沉积法为溅射法、热蒸发法、电子束蒸发法、激光束蒸发法或硒化法；所述电化学沉积法为脉冲电化学沉积、恒压电化学沉积或恒流电化学沉积。

10.权利要求1所述铜铟镓硫微纳二级阵列在光伏领域的应用。