1.一种碳化硅晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、在硅载板表面通过CVD沉积SiO2层，然后将碳化硅基板背面与硅载板键合，利用SiO2使碳化硅基板与硅载板形成永久性键合；

S2、完成碳化硅基板的减薄，同时完成除高温制程外的其他晶圆正面制程；

S3、将完成正面晶圆制程的碳化硅基板转移到石墨托盘上，然后将石墨托盘放入蚀池中蚀刻SiO2层，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板后将碳化硅基板冲洗干净；

S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；

S5、将完成高温制程的碳化硅基板取出，碳化硅基板背面涂布黏着剂并键合玻璃载板，移除石墨托盘；

S6、于碳化硅基板正面背面涂布黏着剂并键合玻璃载板，利用激光穿透碳化硅基板背面玻璃载板使释放剂分解,使碳化硅基板背面玻璃载板解键合，移除碳化硅基板背面玻璃载板；

S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；

S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，利用激光穿透碳化硅基板正面玻璃载板使释放剂分解，使碳化硅基板正面玻璃载板解键合，移除碳化硅基板正面玻璃载板，完成晶圆的切割。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S1中一次性将多块碳化硅基板与硅载板键合，具体步骤为：S101、将硅载板和碳化硅基板清洗干净，通过电浆对硅基载板表面处理，激发硅基载板原子活性键；

S102、将碳化硅基板水平排列键合在硅基载板表面；

S103、将放置好碳化硅基板的硅载板放入高温炉管中进行高温回火，使碳化硅基板与硅基载板形成永久键合结构。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S103中高温回火的温度为800-1400℃，高温炉管的升温速率小于15℃/min。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S3中石墨托盘表面对应碳化硅基板处开设有凹槽，所述凹槽大小与碳化硅基板尺寸契合。

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S3中利用蚀刻液对SiO2和Si的蚀刻选择比不同，蚀刻除去SiO2层。