1.一种高性能封装辐射吸收结构，所述吸收体包含多个紧密排列的周期单元结构，每个周期单元结构主要由一个谐振单元、一层有耗介质层和一层金属背板依次层叠构成，谐振层与金属背板分别位于有耗介质层的两侧；所述周期单元结构包括顶层谐振单元P1、有耗介质层D2和底层金属背板G；顶层谐振单元P1贴于有耗介质层D2上表面，底层金属背板G贴于有耗介质层D2下表面；其特征在于：

所述谐振单元P1包括顶层金属贴片M1、介质板D1和底层金属贴片M2，以及连接顶层金属贴片M1和底层金属贴片M2之间的金属过孔V1组成；顶层金属贴片M1贴于介质板D1上表面，底层金属贴片M2贴于介质板D1下表面；所述金属过孔V1位于谐振单元P1的几何中心；

所述顶层金属贴片M1包括四个顶层半圆金属贴片A1、A2、A3、A4以及连接金属过孔V1和其中两个顶层半圆金属贴片A1、A2的顶层金属条带L11、L12；四个顶层半圆金属贴片A1、A2、A3、A4分别位于顶层金属贴片M1四边处，且四个顶层半圆金属贴片A1、A2、A3、A4圆心分别位于顶层金属贴片M1四边的中点，四个顶层半圆金属贴片A1、A2、A3、A4的直径边分别和顶层金属贴片M1四边重合；四个顶层半圆金属贴片A1、A2、A3、A4其中相邻的两个分别经顶层金属条带L11、L12连接到金属过孔V1，每条金属条带均沿自身所连接的顶层半圆金属贴片的圆心和金属过孔V1之间的连线布置，两条顶层金属条带L11、L12宽度与金属过孔V1直径相同；两条顶层金属条带L11和L12的中部均被切断开，断开处均覆盖布置电阻片R1、R2，每条顶层金属条带的中部被切断开后的两部分通过各自的一个电阻片电连接；

所述底层金属贴片M2包括底层半圆金属贴片B1、B2、B3、B4以及连接金属过孔V1和其中两个底层半圆金属贴片B3、B4的金属条带王21、L22；四个底层半圆金属贴片B1、B2、B3、B4分别位于底层金属贴片M2四边处，且四个底层半圆金属贴片B1、B2、B3、B4圆心分别位于底层金属贴片M2四边的中点，四个底层半圆金属贴片B1、B2、B3、B4的直径边分别和底层金属贴片M2四边重合；四个底层半圆金属贴片B1、B2、B3、B4其中相邻的两个分别经底层金属条带L21、L22连接到金属过孔V1，每条金属条带均沿自身所连接的底层半圆金属贴片的圆心和金属过孔V1之间的连线布置，两条底层金属条带L21、L22宽度与金属过孔V1直径相同；底层金属贴片M2中布置底层金属条带L21、L22的两个底层半圆金属贴片B3、B4经金属过孔V1轴向投影到顶层金属贴片M1上对应的两个底层半圆金属贴片A1、A2并不布置顶层金属条带L21、L22。

2.根据权利要求1所述的一种高性能封装辐射吸收结构，其特征在于：所述顶层半圆金属贴片A1、A2、A3、A4和底层半圆金属贴片B1、B2、B3、B4均为半圆形且尺寸大小相同。

3.根据权利要求1所述的一种高性能封装辐射吸收结构，其特征在于：所述的高性能封装辐射吸收结构中，同一列的周期单元结构中的各个谐振单元P1相连接，使得同一列相邻两个谐振单元P1中，一个谐振单元P1的顶层半圆金属贴片A3、底层半圆金属贴片B3分别和另一个谐振单元P1的顶层半圆金属贴片A1、底层半圆金属贴片B1各自对接拼成完整的两个圆形贴片；

同一行的周期单元结构中的各个谐振单元P1相连接，使得同一行相邻两个谐振单元P1中，一个谐振单元P1的顶层半圆金属贴片A4、底层半圆金属贴片B4分别和另一个谐振单元P1的顶层半圆金属贴片A2、底层半圆金属贴片B2各自对接拼成完整的两个圆形贴片。

4.根据权利要求1所述的一种高性能封装辐射吸收结构，其特征在于：所述的介质板D1、D2采用Fr‑4板材，介电常数为4.3，介质损耗角正切值为0.025。

5.根据权利要求1所述的一种高性能封装辐射吸收结构，其特征在于：所述电阻片R1、R2为阻性膜。

6.根据权利要求1所述的一种高性能封装辐射吸收结构，其特征在于：所述的入射于高性能封装辐射吸收结构的电磁波频率为5GHz‑15GHz。

7.根据权利要求1～6任一所述的一种高性能全角不敏感的封装辐射吸收体的应用，其特征在于：应用于现代商用通信、封装产品或者芯片的片上以及片外的器件辐射抑制。