1.一种兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，按以下步骤进行：

步骤一、将双抛硅基底置于真空镀膜机，在1.35×10 ‑2 Pa的真空度下以0.6nm/s的速率沉积ZnS层，在2.2×10 ‑2 Pa的真空度下以1.8nm/s的速率沉积MgF 2 薄膜；在镀膜过程中持续使用宽束冷阴极离子源辅助沉积，离子源阳极电流35mA，阴极电流12.5mA；完成单面红外增透薄膜的镀制后以相同工艺在双抛硅的另一面完成红外增透薄膜的镀制；

步骤二、使用去离子水将步骤一所得样品超声清洗10分钟，之后将其置于匀胶机中，以

2800转每分钟的速率旋涂25秒，将光刻胶旋涂在其表面；之后使用加热台烘烤旋涂有光刻胶的基底，加热温度100℃并保持8分钟；

步骤三、利用紫外光刻机对光刻胶进行紫外曝光，将掩膜版图形复制到步骤二所得样品表面，时间持续60秒；经过60秒显影后，使用去离子水超声清洗三次，每次5分钟；

步骤四、将旋涂有PMMA的单层石墨烯薄膜转移至目标基底并去除PMMA，得到石墨烯/目标基底样品，并将其作为新的目标基底；将另一片旋涂有PMMA的单层石墨烯薄膜转移至石墨烯/目标基底上，得到二层石墨烯薄膜；重复以上步骤，最终得到多层叠加的石墨烯薄膜；

步骤五、将步骤四所得多层叠加石墨烯薄膜吸附在步骤三所得样品的光刻胶上；之后使用加热台烘烤15分钟，保持温度120℃；利用40℃的丙酮溶液去除样品表面光刻胶，并使用去离子水超声清洗三次，每次6分钟；最终得到目标样品；

制得的一种兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件在3000‑5000nm的波长范围内峰值透过率为95.06%，平均透过率为93.40%，在12‑18GHz范围内屏蔽效能峰值为14.5dB，屏蔽效能平均值为12.98dB。